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利用工艺诱生应变技术制备应变硅材料-微电子学与固体电子学专业论文 word格式
目 录目 录第一章 引言 .................................................................................................................... 11.1 课题研究背景与意义 ............................................................................................... 11.2 工艺诱生应变技术国内外发展状况 ....................................................................... 21.3 本论文主要研究内容 ............................................................................................... 3第二章 应变硅技术原理 ................................................................................................ 42.1 应变硅技术 ............................................................................................................... 42.1.1 应变方式分类 .................................................................................................... 42.1.2 产生应变的几种方法 ........................................................................................ 42.2 应变硅材料的能带结构 ........................................................................................... 62.2.1 应变对导带结构的影响 .................................................................................... 72.2.2 应变对价带结构的影响 .................................................................................... 82.3 应变硅材料的迁移率 ............................................................................................. 132.3.1 应变对电子迁移率的影响 .............................................................................. 132.3.2 应变对空穴迁移率的影响 .............................................................................. 142.4 本章小结 ................................................................................................................. 16第三章 STI 工艺诱生应变实验与参数表征 173.1 STI 工艺诱生应变的机理分析 173.2 STI 工艺诱生应变实验 183.2.1 结构尺寸及版图设计 ...................................................................................... 183.2.2 工艺流程设计 .................................................................................................. 203.2.3 实验前衬底的表面处理 ....................................................
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