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認識二極體及電晶體特性曲線 實習目的 了解二極體及電晶體基本結構。 認識二極體及電晶體的種類與特性。 了解二極體及電晶體特性曲線及其量測方法。 使用材料 相關知識 二極體 圖(1) 　　二極體是最基本但也是最重要的電子元件之一，具有單向導電功能，由P型和N型兩種不同摻雜的半導體所構成。且僅在PN順向偏壓(P側加正壓，N側加負壓)時才會導通，其符號就以由P指向N的一個三角形符號來代表，在N側有一個銀色環帶如圖(1)所示。 　　當熱平衡(未施加篇壓)時，在N型區的電子濃度多於P型區的電子濃度，故電子將由N型區擴散到P型區，而和P型區的電洞結合，進而消失；同理，因為P型區的電洞濃度大於N型區，故電洞自P型區擴散到N型區，如圖(2-a)。N型區本屬電中性區，現在因為在接面處喪失電子而形成陽離子，電位因而升高；相對的，P型區內原本亦是屬電中性，現因獲得電子(或稱為喪失電洞)而形成陰離子，使得電位因而降低。因此，在接面處將形成內建電場，電場方向由N型區朝向P型區，如圖(2-b)所示。在接面處兩側，因為流失大量載子，使得此區間的載子濃度明顯減少，遂稱為空乏區(depletion region)；此外，又因為接面兩側生成極性相反又無法移動的雜質離子，故又稱為空間電荷區(space charge region)。 　　半導體中的載子擴散現象和日常生活中的分子擴散現象其實是很相似的。載子由濃度高處往濃度低處擴散，因此形成擴散電流。電子的擴散形成擴散電子流，而電洞的擴散則形成擴散電洞流。空乏區的內建電場也是造成電流的一個來源，由於電場方向由N型區指向P型區。因此，N型中的少數載子(電洞)將受此電場驅動而漂移越過界面，形成漂移電洞流；同理，P型中的少數載子(電子)將受此電場驅動而漂移越過界面，形成漂移電子流，其方向都和擴散電子(電洞)流相反。到達平衡時，在任一位置的漂移電流和擴散電流(包含電子流和電洞流)會互相抵銷，所以總電子流和電洞流均為零，如圖(2-c)。 若外加偏壓Vbias大於零，就是P型半導體端施加正偏壓，N型半導體端施加負偏壓，使P較N為正，則可提高P型區電位或降低N型區電位。當PN順向偏壓超過切入電壓(矽材料約為0.6V，鍺材料為0.2V)時，電流會迅速增大，故稱為順向導通，如圖(3)所示。若外加偏壓小於零，就是P型半導體施加負偏壓，N型半導體施加正偏壓，使P較N為負，則會使P型區電位降低。因為PN接面兩側的多數載子受逆向偏壓所吸引，而湧向兩端的電極。由於逆向偏壓下電流很小，所外加的逆向偏壓幾乎全都降在空乏區，也使得空乏區的電位大增，也使空乏區的寬度變大，多數載子就越不能流過接面，故稱為逆向偏壓，如圖(4)所示。但是，這時候仍然有少數載子流過接面，縱使逆向偏壓繼續增加，少數載子電流也達到飽和而不會再增加，稱為反向飽和電流(Is)。 二極體的電壓與電流間之關係可用下列方程式表示： 　　Is是逆向飽和電流，VD是二極體兩端的電壓，n稱為理想系數(ideal factor)是一個介於1~2間的係數，VT是與溫度和波茲曼常數有關的電壓係數，在常溫300 K的情況下，此電壓係數約為0.026 V。實際二極體導通時兩端的電位差並不一定為0.7V，而是與電流大小有關，電流增加時，電位差也略為增大。不過，除了非常精確地分析之外，在一般應用上只需記住，二極體導通時兩端電位差約等於0.7V。 　　當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱為崩潰電壓(breakdown voltage )。二極體在進入崩潰區前所能承受的最大逆向偏壓稱為逆向峰值電壓(peak inverse voltage)，稱為PIV。 齊納二極體 　　有一種二極體專門使用其崩潰區，此種二極體被稱為崩潰二極體，或稱為齊納二極體，可用來作為穩壓電路，提供一個固電的參考電位，或作為電壓箝制電路，防止輸入電壓高於安全的輸入值而造成電路的損壞。 　　齊納二極體在順向導通時，和一般的PN二極體相同；而當逆向達到崩潰電壓時，齊納二極體的逆向電流(Iz)則會大幅增加，如圖(5)所示；而在一個電流範圍內時(介於Izmax與Izmin之間)，齊納二極體兩端之電壓能保持於Vz，因此被用來製作穩壓電路的元件。電路操作時電流必須使Iz介於Izmax與Izmin間，若Iz小於Izmin時，會使齊納二極體兩端電壓成曲線關係，則不能維持於一固定電壓；尤其注意在Iz大於Izmax時，齊納二極體會燒掉，所以必須串聯一個電阻，使Iz介於Izmax與Izmin間有良好穩定的工作電壓。 　　在設計或是用電子元件時，需要參考半導體廠商提供的元件規格(相關數值請參考元件的datasheet)，使用時均不可大於標準值，否則容易造成元件的損壞。二極體常見的規格有下列幾項: 最大順向電壓 最大順向電流 最大逆向電