低能电子能谱(LEED)精品.pptVIP

氧在Cu(110)面上刚开始吸附时，氧原子倾向于在[100]方向扩散，形成等距排列的长条，此时衍射图将出现衍射条纹，条纹的方向垂直于[100]方向，直到覆盖度较大时，条纹逐渐收缩而形成(2?1)衍射斑。 台阶表面具有很独特的物理化学性质。由一定宽度的低指数面平台和原子台阶组成的单调上升的台阶表面称为邻界面或近真面。 邻界面的结构因子，干涉函数和散射波强度 台阶及所对应的反射球 1.4 低能电子衍射谱 低能电子衍射图形提供的只是有关表面周期性的信息，即元格的大小和形状，他不能给出有关原子的位置。表面层与衬底之间的距离和有关元格中原子分布的信息。例如在立方(001)面上形成C(2?2)结构时，表层原子相对衬底可以有四种不同的位置，而表层与衬底顶层的间距则取决于表层原子取何种位置。 为了解决以上这些问题需要分析各级衍射束的强度随入射电子能量的变化。这种强度-入射电子能量(I-E)曲线称为低能电子衍射谱。 在实际分析时，往往是固定入射电子束的方位角，然后测量某几级衍射束的强度随电子束能量的变化。再将这些实验数据与根据某种模型计算出来的衍射谱进行比较，调节原子的位置使二者符合得最好，即可确定表面的原子位置。 这种计算相当复杂，而且结果往往取决于所选的模型和参数。 在纯二维的情况下，电子不会受垂直方向上的周期势的影响，这时强度随电子能量的变化是一个单调下降的函数。 对于纯三维的衍射，只有当入射束的能量为一定数值时，才能看到某一衍射束。对于低能电子衍射，情况正好介于二者之间。 表面原子对低能电子的散射截面还未大到电子无法穿透表面的原子层，因此电子在一定程度上还受晶体内部三维周期性的影响。 电子在衍射过程中还受到多重散射等因素的影响。 Al(100)表面在正入射时各种(h1h2)衍射束的I-E曲线 为精确计算LEED谱的细节，除需要从理论上计算晶体原子对低能电子的散射外，还要考虑多次散射、非弹性碰撞及温度效应等问题。考虑多重散射的理论称为动力学理论。 这些问题是很复杂的，必须做一些假定才能简化计算，并得到和实际相近的结果。由于动力学的复杂性，到1980年前后，只有大约一百多种表面结构被确定。 被确定的表面结构可分为六大类： 清洁金属表面； 原子吸附表面； 半导体化合物和离子化合物表面； 半导体元素表面； 重构的清洁金属表面； 分子吸附表面。 前三类表面结构确定的较好，后三类由于结构参数较多，计算的复杂性和困难程度依次增加。 许多清洁金属的表面结构的确定可达到百分之几埃。 表面原子的第一、第二层的距离比体内受缩0.6%，即0.002 nm。 Cu(100)面四个衍射束的I-E曲线的理论与实验的比较 (a) Ni(100)-(2?2)-O的结构 (b) 预计的Ni(100)-C(2?2)-C结构 (c) LEED谱计算求出的Ni(100)-C(2?2)-C实际结构 Fe(110)(2?2)-S结构的一种模型(模型I)，这里只调节层间距，但所得出的键长偏短。图 模型II考虑了基底重构，并选择合理的键长。 从计算结果与实验曲线的比较看，模型II的符合程度比模型I好。 目前，LEED分析可达到的极限可能性是： 单元网格面积限于2.5 nm； 同层单元网格内的原子数不超过4； 纵向尺寸的误差一般在0.01 nm以内，横向尺寸误差在 0.02 nm 以内； 键长误差在 0.005~0.02 nm，百分误差为2~10%。 1.5 反射式高能电子衍射 反射式高能电子衍射(RHEED)用高能电子(10~30 keV)作为探测束。由于高能电子在固体中的穿透深度和非弹性散射自由程都较大，为测量表面信息，入射电子采用略射方式，即入射束和样品表面的夹角小于5o。在这种能量下，背弹性散射很弱，弹性散射主要是在前进方向，因此衍射束也处在掠射方向。 RHEED的结构 RHEED常配合分子束外延在晶体生长过程中不断监测结晶的情况。 由于RHEED对表面有一定的穿透，故适于研究一些从表面向体内发展的化学吸附和表面反应，如腐蚀、氧化、碳化、化合物形成等，以及一些表面组分由表面至内部有所不同的多组分系统，如材料的硬化、钝化、离子注入等过程所形成的表面。 由于入射电子能量很高，波长很短，故反射球半径很大，比倒易晶格基矢长度大40倍左右。按衍射原理(00)束应取镜面反射方向，如k。 如果反射球或倒易晶格杆有点“模糊”，则荧光屏上显的不是一个点而是一条“条纹”。 例如: 由于入射电子束有一定的发射角; 能量分散使反射球展宽; 由于声子散射和表面有些无序使倒易晶格杆展宽； 由于反射球半径很大，和球面相交的除 (00) 杆外还有(01), (01)杆，甚至(02), (02)杆，这些杆将形成相应的衍射条纹。 如