一种高精度的CMOS带隙基准电压源.pdfVIP

第 30 卷第 3 期 　　　电 子 工 程 师 Vol. 30 No. 3 2004 年 3 月 　　　　　　　　　　　　　　　EL ECTRON IC EN GIN EER 　　　　　　　　　　　　　　　　　Mar. 2004 一种高精度的 CMOS 带隙基准电压源 黄晓敏 , 沈绪榜 , 邹雪城 , 蒋 　湘 (华中科技大学图像识别与人工智能研究所 , 湖北省武汉市 430074) 【摘 　要】　设计了一种采用 0. 25 μ m CMOS 工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 , 性能优异 ,其温度系数可达 3 ×10 - 6/ ℃, 电源抑制比可达75 dB 。还增加了提高电源抑制比电路、启动 电路和省功耗电路, 以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小。 关键词 :CMOS , 带隙 , 基准电压源 中图分类号: TN492 闭 ,差分放大器尾电流为 0 ,差分放大器没有工作 ,整 0 　引 　言 个电路也没有工作 ,处于省功耗状态 ; 当 CTR 为高电 基准电压源广泛应用于 A/ D 和 D/ A 转换器、数 平时 ,M12 关闭 ,M13 导通 , 则 M11 ～M16 组成的偏 据采集系统、电压调节器以及各种测量设备 ,其精度和 置电路为 N 3 点提供合适的偏置电压 VN ,使得差分 3 稳定性直接决定了整个系统的精度。电压基准源有基 放大器以及整个电路正常工作。M1 ～M5 组成差分 于正向 VBE 的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特 放大器 ,M6 和 M9 组成共源放大器 ,差分放大器输出 性的电压基准、带隙电压基准等多种。其中 ,带隙电压 端接到 M6 的栅上 ,则 M1 ～M6 以及 M9 组成二级运 基准具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压以及 放 , 电容C0 为补偿电容。同时 ,M9 进行电流映射 ,使 长期稳定性等优点 ,因而得到广泛应用。 流过双极型晶体管 Q1 、Q2 和 Q3 的电流相等。Q1 和 本文提出了一种结构比较新颖的基准电压源电 Q2 支路上的 N 1 、N 2 点反馈到差分放大器的差分输 路 ,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。此外 , 入端 ,形成负反馈 ;运放增益较大时 , 电路处于深度负 还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电 反馈 ,当电路平衡时 ,节点 N 1 、N 2 点电位相等。 路 , 以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静 态功耗较小。 1 　电路结构 1. 1 　带隙基准原理 由于双极型晶体管的基极发射极电压 VBE 呈负 温度系数 ,而两个双极型晶体管工作在不同的工作电 流时 ,它们的基极发射极电压差 ΔVBE 正比于绝对温 度。故取 : 图 1 　带隙基准电压源核心电路 Δ (