微电子器件原理与设计1单元.pptVIP

（2）结构参数 n+型区 本征区 p+型区 厚度 浓度 厚度 浓度 厚度 浓度 70 5 1.5 对于台面结构的小功率开关pin二极管，各层浓度和厚度如表所示。 电极通常采用Cr-Au合金。 （1）结构与工艺 表面趋向型pin二极管采用平面扩散工艺，具体如图所示。 * 在本征半导体硅基片表面，氧化形成保护层。 * 利用扩散工艺，在本征半导体的一个坑扩散高浓度硼，形成p+型区。 * 利用腐蚀工艺，在本征半导体硅基片腐蚀出两个长方形坑。 * 在另一个坑内扩散高浓度磷，形成n+型区。 3. 表面趋向型 * 电极采用梁式引线。 * 在两个坑内镀一层金属层，并形成欧姆接触作为电极。 （2）结构参数 这种结构中，腐蚀出来的两个坑的尺寸分别为： * 长度250μm * 宽度 50μm * 深度 10μm 这种结构的优点：电容可以很小、击穿电压可以很高，适用于微波集成电路。 设计一个pin二极管，需要确定各层的厚度、结面积、各层的电阻率或掺杂浓度，以及i 层的少子寿命。 如果作为开关来用，则反向偏压下的串联电阻和势垒电容，正向偏压下的串联电阻、开关速度及其功率容量等参数均要考虑。 一般的，i 层电阻率越高越好，p区和n区的电阻率越低越好，并且希望尽可能薄。 另一方面，二极管面积和i 层厚度的确定，需要兼管串联电阻和势垒电容两者都要低的要求。 对于少子寿命，需要在正向电阻小和开关速度快之间综合考虑。 四、阶跃管的结构 1. pn阶跃二极管 阶跃恢复二极管一般都采用台面型结构，具体则有pn型和pin型两种管芯。 （1）结构与工艺 * 在1180oC下，外延生长30min，从而在n+型半导体表面生成一层n型层。 * 在1200oC下，通过深扩散30min，形成重掺杂p+区。 * 在1150oC下，氧化30min，在p+型半导体表面生成二氧化硅保护层。 * 利用光刻、腐蚀工艺，在保护层上露出环形表面。 * 利用腐蚀工艺，在pn结上形成环形深槽，构成台面型结构。 * 在1150oC下，氧化30min，使环形深槽表面生成致密二氧化硅保护层，将pn结保护起来，以避免pn结的弯曲。 * 利用光刻、腐蚀工艺，在保护层上露出p+型区表面。 * 利用镀膜工艺，在pn结两侧镀Al，形成欧姆接触电极。 （2）结构参数 这种结构可以避免pn结的弯曲，同时又提高了二极管的生产成品率和参数稳定性。下面是这种结构的典型参数： * 衬底厚度180μm * 外延层厚度8μm * 结深4.4~4.8μm * 结直径220μm * 环形槽深18μm * 保护层厚度0.3μm * 金属膜厚度2μm 线性缓变结雪崩击穿电压还可以用经验公式 计算，这个公式适合各种半导体材料。 （3）实际扩散结的雪崩击穿电压 对于实际的扩散结，在扩散层表面杂质浓度NS比较高、结深比较浅时，可用突变结公式计算。而NS较低且结深较深时，采用线性缓变结公式计算； 一般地，由于扩散结的杂质分布为高斯函数或余误差函数，雪崩击穿电压的计算比较复杂，需要用计算机进行计算，或利用数据表计算。 3.影响雪崩击穿电压的因素 （1）材料参数的影响 由pn结雪崩击穿电压经验公式 上式说明，影响pn结雪崩击穿电压的主要材料参数是禁带宽度和低掺杂区的杂质浓度或杂质浓度梯度。 由上式可知，选用禁带宽度大的半导体材料，可以提高pn结的雪崩击穿电压，在三种典型半导体材料中，GaAs、Si、Ge的禁带宽度依次减小。 此外，要通过pn结的雪崩击穿电压可选用低掺杂的高电阻材料做衬底，或通过深扩散以降低杂质浓度梯度。 （2）结构参数的影响 pn结的结构参数对雪崩击穿电压有较大的影响，主要体现在以下几个方面： 外延层的厚度 为了减小串联电阻，pn结通常做在高掺杂衬底上面的低掺杂外延层内。外延层的厚度限制，对pn结的击穿电压有直接的影响。 单边突变结的电场分布如图所示，当最大电场达到Ec时，pn结将发生雪崩击穿。 如果pn结外延层足够厚，以致发生雪崩击穿时势垒区仍在外延层内，则雪崩击穿电压即为图中三角形面积。 如果pn结外延层比较薄， 以致发生雪崩击穿时势垒区已穿通外延层，此时势垒区宽度受到限制，则雪崩击穿电压即为图中梯形面积。 通过对面积的计算，得 这说明，在外延层厚度小于雪崩击穿时的势垒厚度时，雪崩击穿电压下降。并且，外延层厚度越小，雪崩击穿电压也越小。 为了防止外延层出现穿通以致于使雪崩击穿电压下降，外延层厚度必须大于雪崩击穿时势垒区宽度和结深之和。即 扩散结的结深 采用平面工艺制造的pn结，在杂质通过二氧化硅窗口向体内扩散同时，也沿表面方向横向扩散，其扩散