掺杂对材料光学性能的影响演示文稿教程.pptVIP

缺陷对LiNb03光折变性能的影响 李莹 铌酸锂晶体简介 铌酸锂晶体的结构 铌酸锂晶体的本征缺陷 铌酸锂晶体的非本征缺陷 光折变效应简介 LiNb03晶体的光折变效应的基本过程 掺铁铌酸锂晶体光折变性能的优化 铌酸锂晶体简介 铌酸锂(LiNb03，LN)晶体是具有氧八面体结构的铁电体。它集压电、电光、声光、光学非线性和光折变等效应于一身，在光调制、光信息放大、光开关和光波导等众多方面有着广泛的应用，特别吸引人的是它在光全息存储领域的应用前景，是迄今人们所发现的光学性能最多、综合指标最好的人工晶体。四十多年来，人们对LiNb03晶体进行了大量的研究，主要集中在以下几个方面口： (1)晶体生长、晶体结构及缺陷、掺杂离子在晶体中占位的研究； (2)掺杂对LiNb03晶体性能的影响： (3)LiNb03作为基片的光波导器件的研究 (4)LiNb03晶体的光折变性能及相关器件的研究 (5)掺杂稀土元素的LiNb03晶体的发光及相关器件的研究 (6) LiNb03晶体中聚边多畴的研 (7)不同[Li]／[Nbl比对LiNb03晶体性能影响的研究 (8)化学计量比LiNb03晶体的生长及性能研究 这些研究使得人们对LiNb03晶体有了较全面的了解，促使这种晶体得以实用化。 铌酸锂晶体的结构 LiNb03晶体属三方晶系，其结构可视为由氧原子的畸变六角密堆积形成三种氧八面体，最小的八面体由Nb离子占据，体积居间八面体为Li离子群占据，而最大的八面体为空离子占据，而最大的八面体为空(用“口”表示) 在高温状念的顺电相为 点 群，在低温的铁电相，其结构发生畸变，成为3m点群。 在LiNb03的晶体结构中，负离子 堆积成品格骨架， 形成平面层，沿c轴方向堆积，正离子“ 和 ”填充在骨架中。顺电相时，每个堆垛中氧八面体按下述顺序交替出现。一个中心有Nb的氧八面体，两个在其公共面上有Li的氧八面体。 在顺电相，Li和Nb分别位于氧平面和氧八面体中心，无自发极化。在铁电相，Li和Nb都发生了沿c轴的位移，前者离开了氧八面体的公共面，后者离开了氧八面体的中心，造成了沿c轴的电偶极矩，即出现了自发极化。 铌酸锂晶体的本征缺陷 在通常情况下铌酸锂晶体都处于缺Li的状念，即Li／Nb1。造成这一现象的原因是： 和 具有几乎相同的离子半径(分别为0．68A和0．69A)，且二者均被畸变的氧八面体包围，处于相似的品格环境中，但 — 键要比比 — 键强得多，所以LiNb03晶体的组分有偏离其化学计量比的趋势。 1.氧空位模型：由于锂的缺少，在铌酸锂品格中形成锂空位，同时形成相应数量的氧空位来实现电荷的补偿。 2. 铌空位模型：LiNb03晶体中不存在氧空位，由于锂缺少而造成的锂空位全部由铌填满，形成反位铌 ，电荷的平衡是在铌位形成相应数量的铌空位心 来实现的。 3.锂空位模型：同成分铌酸锂晶体中不存在氧空位，锂的缺少导致锂空位，为了保证晶体的电中性，一部分铌占据锂位来实现电荷的补偿，这时铌酸锂晶体的结构可写为 铌酸锂晶体的非本征缺陷 因为LiNb03晶体具有氧八面体结构，该结构的特殊性使得LiNb03晶体几乎可以掺入所有的会属离子，按照人们预期的目标束调节，晶体的性能。对光学方面应用的LiNb03晶体掺杂方面的研究，主要是围绕以下几个方面展开： 掺入光折变敏感离子 掺入抗光折变杂质离子抗光折变离子 掺入稀土族元素 掺入光折变敏感离子： 和某些变价元素，这些杂质在光激发过程中充当着电荷施主与受主的作用，参与光折变材料的电荷输运过程，从而提高了晶体的光折变性能。 掺入光折变敏感杂质的铌酸锂晶体广泛的应用于全息数据存储、全息关联存储、相位共轭、光放大等领域。其中，Fe：LiNb03晶体已经成为国内外光学体全息存储和识别系统中的首选材料。 掺入抗光折变杂质离子抗光折变离子包括镁 铟 、钪 等，这种杂质离子掺进LiNb03中都有一个阈值浓度，通常要超过其阈值浓度才起到较明显的作用。当达到或超过闽值浓度的掺杂LiNb03晶体抗光损伤性能比纯LiNb03晶体提高1～2个数量级，同时晶体的响应时间缩短，衍射效率降低。掺进抗光损伤杂质离子的LiNb03晶体用于制做倍频、调制器、Q开关、参量振荡器等器件 掺入稀土族元素以LiNb03晶体作为固体激光基质材料，通过掺入激活剂，获得激光晶体。这方面