模拟电子技术第9章功率放大电路精品.ppt

2．二次击穿的影响 iC uCE 0 B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE 0 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET S 源极 G 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 D 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 （1）开关速度高 （2）驱动电流小 （3）过载能力强 （4）易于并联 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT等效电路 D T1 G S R T2 IGBT电路符号 G S D T 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： （1）输入阻抗高 （2）工作速度快 （3）通态电阻低 （4）阻断电阻高 （5）承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热 晶体管的散热示意图 导电回路（电路） 散热回路（热路） 参 量 符 号 单 位 参 量 符 号 单位 电 压 U V 温 差 ΔT oC 电 流 I A 最大允许功耗 PCM W 电 阻 R Ω 热 阻 RT oC/W 功率器件的散热分析方法： 即用电路来模拟功率器件的散热回路 导电回路和散热回路参数对照表 电－热模拟法 Tj——集电结的结温 Tc ——功率管的壳温 Ts ——散热器温度 Ta ——环境温度 Rjc ——集电结到管壳的热阻 Rcs ——管壳至散热片的热阻 Rsa ——散热片至环境的热阻 散热等效热路 Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 散热回路的总热阻为 最大允许功耗 T a j CM R T T P - = Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 练习题 例1 乙类互补推挽功放电路如图所示。已知ui为正弦电压，RL=8W，要求最大输出功率为16W。假设功率管T1和T2特性对称，管子的饱和压降UCES=0。试求： （1）正、负电源VCC的最小值； （2）当输出功率最大时，电源供给的功率； （3）当输出功率最大时的输入电压的有效值。 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uO ui [解]（1）由于电路的最大输出功率 所以电源电压 （2）当输出功率最大时，电源供给的功率 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uO ui （3）因为输出功率最大时，输出电压的幅值为 所以输入电压的有效值为 T1 T2 RL +VCC VCC _ _ + uO ui 例2 在图示的电路中，已知运放性能理想，其最大的输出电流、电压分别为15mA和15V。设晶体管T1和T2的性能完全相同，?=60，|UBE|=0.7V。试问 （1）该电路采用什么方法来减小交越失真? 。 R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? （2）如负载RL分别为20 W 、10 W时，其最大不失真输出功率分别为多大? （3）为了使不失真输出功率达到最大，其电路的最佳负载RLopt 及此时的最大输出功率Pom 。 R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? （4）功放管T1 和T2的极限参数PCM、 ICM 和|U(BR)CEO| 应 选多大? 解 （1）在电路即将导通之时，电路中各支路中的电流为零。这时 R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? 在管子即将导通时，uo1等于其死区电压UBE(th)。 R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? 故 电路的死区电压Ui(th)为 R1 R2 RL T1 T2 5kW 250kW (18V) (- 18V) + uo +VCC - VCC io1 ui A uo1 ? 即当 时 , T1和T2均未导通； 当 时