主存储器讲义.pptVIP

第4章 主存储器 ;; 4.3 主存储器的技术指标;(2) 单元数×位数;2．存取速度;4.4 主存储器的基本结构和基本操作;4．5 读/写存储器（RAM）;六管静态存储元电路 P107; 工作原理; 工作原理续;2 .静态MOS存储器; (2)地址译码器;(3)片选和读／写控制电路;3.静态MOS存储器芯片;4.存储器的读、写周期; (1) 读周期;(2)写周期;5. RAM存储器的扩展 P119;例1 由16K×4的存储器芯片组成16K×8的存储器，画出该存储器的组成逻辑框图。 解：由16K×4的存储器芯片组成16K×8的存储器，需(8／4＝2)片16K×4的存储器芯片，存储器扩展图如图4.18所示。（P130）; (2) 字扩展; 字扩展连接方式图; (3)字位同时扩展; 1K×4组成4K×8 的存储器扩展图; 模块化存储器设计举例 ;【分析】; 模块内扩展图; 模块化的存储器扩展图 ;4.6 只读存储器(ROM) P129;2.一次可编程序的只读存储器(PROM);3.多次可擦可编程序的只读存储器(EPROM) ;4.多次可电擦可编程序只读存储器(E2PROM);5.快擦除读写存储器(Flash Memory); 6.ROM芯片;存储器系统设计举例; 【例题分析】;存储器的组成结构图及与CPU的连接图 ; 例4.2;;方法一; 方法一的扩展图与连接图;方法二; 方法二扩展图与连接图;例4.3;设计方案设偶存储体选中时C=1；奇存储体选中时D=1；;存储器结构图及与CPU连接的示意图 ;例4.4;设存储体1选中时C=1；存储体2选中时D=1； 存储体3选中时E=1；存储体4选中时F=1。 设计方案见表。 ; 表 例4.6的设计方案真值表 ;存储器结构图及与CPU连接的示意图 ;4．7 动态存储器(DRAM) P120;写入：字选择线为“1”，T管导通，写入信息由位线(数据线)存入电容C中；写”1”加低电平;写”0”加高电平. 读出：字选择线为“1”，存储在电容C上的电荷，通过T输出到数据线上，通过读出放大器即可得到存储信息。 ;2．动态存储器(DRAM);2．动态存储器(DRAM);③ 数据线的输入和输出是分开的。 由于动态存储器的以上特点，使得动态存储器芯片的引脚与静态存储器芯片有所不同。 ④它有WE控制信号，而没有片选信号CS； ;3．读／写时序;4．动态存储器的刷新 ;（3）刷新方式 ;②分散刷新方式;③分布刷新方式（异步式）;以上3种方式各有其优缺点，应根据具体情况进行选择;常用的是集中式和分布式; (4)刷新控制器 ;;③ REFRQ＝1时，外部对存储器进行刷新。若无输入，则由8203内部刷新控制器每隔2ms控制刷新一遍。 ;例题;(5) 动态MOS存储器与静态MOS存储器的比较 ; 4．8 多体交叉存储器;多体交叉存储器结构图;;; 例1; (1) 顺序存储器 ; (2) 交叉方式地址格式; (2)交叉存储器 ;例2;;; 例 3;;;;作业;