第8章 半导体器件基础2精品.ppt

第8章 半导体器件基础 重点： 难点： 1. 半导体二极管特性 2. 半导体三极管主要参数及特性 3. 稳压管的稳压特性 1. 二极管的单向导电性 2. 三极管的放大工作原理 8.4 半导体三极管 半导体三极管简称晶体管或三极管。它由空穴和自由电子两种载流子参与导电，半导体三极管又称为双极型晶体三极管（简称BJT）或三极管、晶体管等。它是组成电子电路的最基本的器件，在开关、放大、调制和振荡电路中应用广泛。 8.4.1 半导体三极管的结构和类型 三极管的构成是在一块半导体上用掺入不同杂质的方法制成2个紧挨着的PN结和3个区：发射区、基区和集电区，并分别引出三个电极，如图8-11所示。 三极管有三个区： 发射区——发射载流子的区域； 基 区——载流子传输的区域； 集电区——收集载流子的区域。 各区引出的电极依次为发射极（ｅ极）、基极（ｂ极）和集电极（ｃ极）。发射区和基区在交界处形成发射结；基区和集电区在交界处形成集电结。 根据半导体各区的类型不同，三极管可分为NPN型和PNP型两大类，如图8-11（a）、（b）所示。 图8-11 三极管的结构与符号 （a）NPN型; （b）PNP型 目前NPN型管多数为硅管，PNP型管多数为锗管。因硅NPN型三极管应用最为广泛，故本书以硅NPN型三极管为例来分析三极管及其放大电路的工作原理。 8.4.2 三极管的3种连接方式 三极管有三个电极，而在连成电路时必须由两个电极接输入回路，两个电极接输出回路，这样势必有一个电极作为输入和输出回路的公共端。根据公共端的不同，有三种基本连接方式。 （1）共基极接法（简称共基接法）。共基接法是以发射极为输入端的一端，集电极为输出端的一端，基极为公共端，如图 8-13（a）所示。 （2）共发射极接法（简称共射接法）。共射接法是以基极为输入端的一端，集电极为输出端的一端，发射极为公共端，如图 8-13（b）所示。 （3）共集电极接法（简称共集接法）。共集接法是以基极为输入端的一端，发射极为输出端的一端，集电极为公共端，如图8-13（c）所示。 图中“⊥”表示公共端，又称接地端。 图8-13 三极管的3种连接方式 （a）共基极接法（b）共发射极接法 （c）共集电极接法 8.4.3 三极管的电流分配与放大原理 图8-14 三极管电流放大实验电路 为了了解清楚三极管的放大原理和其中的电流分配，可采用图8-14所示的实验电路进行测量。 图中，UCC为集电极电源电压，UBB为基极电源电压，两类管子外部电路所接电源极性正好相反，Rb为基极电阻，Rc为集电极电阻。 通过测量结果可得出如下结论： （1）IB+IC=IE，符合KCL； （2）IE和IC比IB大得多，且IB有微小变化时，相应的集电极电流IC将有较大的变化； 通常将IC与IB的变化量的比值定义为三极管的共射电流放大系数，用β表示，即 1.三极管实现放大的条件 （1）外部条件：发射结加正向电压，集电结加反向电压，即发射结正偏，集电结反偏。 如图8-14所示，若以发射极电压为参考电压，则三极管发射结正偏，集电结反偏这个外部条件也可用电压关系来表示： 对于NPN型：UCUBUE； 对于PNP型：UEUBUC。 （2）内部条件： 为使三极管具有电流放大作用，在制造过程中必须满足实现放大的内部结构条件，即： ? （1）发射区需要进行高参杂，即掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度，以便于有足够的载流子供“发射”。 （2）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关键所在。 （3）集电区比发射区体积大且掺杂少，以利于收集载流子。 由此可见，三极管并非两个PN结的简单组合，不能用两个二极管来代替；在放大电路中也不可将发射极和集电极对调使用。 （1）发射区向基区发射电子过程 2. 电流放大原理 三极管在满足发射结正偏，集电结反偏的条件下，三极管实现电流的放大作用的