存储器讲义.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 图2-23 28F040的字节写入过程 （3）擦除（Vpp=+12V） 擦除一个字节：向该字节写入新的内容 擦除整个芯片（图2-24a） 写整片擦除命令30H 写整片擦除确认命令30H 读状态寄存器，确认擦除完成 擦除某些块 写块擦除命令20H 写块擦除确认命令D0H和块地址 读状态寄存器，确认擦除完成 暂停擦除：写擦除挂起命令B0H 恢复擦除：写擦除恢复命令D0H 图2-24 28F040的擦除流程 3．闪存的应用 目前闪存主要用来构成移动存储器代替软磁盘，如移动闪存盘（也称优盘）。 Flash Memory技术已大量用于便携式计算机、数码相机、MP3播放器等设备中，如MMC卡 、CF卡和SM卡等。 Flash Memory也被用作内存，用于内容不经常改变且对写入时间要求不高的场合，如微机的BIOS、IC卡的数据记录单元等。 2.4 存储器的扩展 2.4.1 位扩展 微型计算机中，最小的信息存取单位是“字节”，如果一个存储芯片不能同时提供8bit数据，就必须把几块芯片组合起来使用，这就是存储器芯片的“位扩展”。 现代微机可以同时对存储器进行64bit存取，这就需要在8bit的基础上再次进行“位扩展”。 位扩展把多个存储芯片组成一个整体，使数据位数增加，但单元个数不变。 图2-25 位扩展连接 位扩展连接方法： （1）芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接； （2）片选信号线并联，连接到地址译码器的输出端 （3）读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器读写控制线上; （4）不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。 2.4.2 字扩展 字扩展：把若干组/片存储芯片组合使用，增加存储单元个数。 进行字扩展时，各组芯片占有不同的地址。 字扩展过程： 根据给定的地址空间，把地址线划分为： 选组地址，选片地址，片内地址 用选组地址和选片地址译码，得到各芯片（组）的片选信号 把片选信号，片内地址，数据线连接到各芯片 例： 已有容量为2K×8的SRAM芯片 用4片这样的芯片，构成8K×8位的存储器模块 起始地址4000H 分析： （1）由于芯片容量是2K×8，所以每个芯片有11根地址线（A10～A0），8根数据线（D7～D0）。 （2）根据要求，列出各芯片的始末地址如下： 芯片0 起始地址： 010 00 000 0000 0000 （4000H） 结束地址: 010 00 111 1111 1111 （47FFH） 芯片1 起始地址： 010 01 000 0000 0000 （4800H） 结束地址： 010 01 111 1111 1111 （4FFFH） …… （3）地址的最低11位（A10～A0）用来选择芯片内的各单元（片内地址），可以直接与每个芯片的地址线相连。 （4）地址的中间3位（A13～A11）用来选择该组内的各芯片（选片地址），为000、001、010、011时顺序选择四个芯片。这3位连接到3-8译码器输入端，产生的译码信号用作四个芯片的片选信号。 （4）地址的最高2位（A15～A14）对于本组固定为01，这是本组存储器被选中的标志（选组地址）。这3位地址用来产生译码器允许工作信号 “G”。 （5）几个芯片的数据线直接并联在一起，接至系统数据总线上，读写控制线也并联连接。 图2-26 字扩展连接 字扩展的方法： 求出组成存储器模块所需芯片数，然后按下列步骤连接有关信号线: 各芯片的数据线并联，接至相应的系统数据总线。 芯片的地址线并联到地址总线对应位上，地址总线高位接译码器，译码器输出用作各个芯片的片选信号。 读写控制信号并联后与控制总线中相应的信号连接。 2.4.3 字位全扩展 存储器芯片的字数和位数都不能满足系统存储器的要求，时，需要进行字和位全扩展。 内存扩展的次序一般是先进行位扩，构成字长满足要求的内存模块，然后再用若干个这样的模块进行字扩，完成字位扩展，使总容量满足要求。 假设存储器容量为M×N位，所用的芯片是L×K位。组成这个存储器模块共需(M×N)/(L×K)＝(M/L)×(N/K)个存储芯片。例如：用64K×4位芯片组成512K×32位的存储器模块，则需要（512K/64K）×（32位/4位）= 8×8 = 64片。 微型机中内存的构成是字位扩展的具体实例 用2164构成容量为128KB的DRAM内存组 2164是64K×1的芯片，