高压试验基础知识分享.ppt

2 ．在试验变压器高压侧测量 被试品试验电压 5) CVT自激磁测量 CVT自激法时，高压线接CVT的下端δ（N）点。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 高压线夹接触不良 现场测量使用高压线夹连接试品时，夹子务必与试品接触良好，否则接触点放电会引起数据严重波动！如高压挂在引流线上时，因引流线氧化层太厚，或风吹线摆动，易造成接触不良。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 接地接触不良 接地不良会引起仪器保护或数据严重波动。应刮净接地点上的油漆和锈蚀，保证接地良好！如果测量接地试品，试品地和仪器地应共地连接，保持地电位一致。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 直接测量CVT或末端屏蔽法测量电磁式PT 直接测量CVT的下节耦合电容会出现负介损，应用自激法测量。 用末端屏蔽法测量电磁式PT时由于受潮引起“T形网络干扰”出现负介损，吹干下面三裙瓷套和接线端子盘即可。也可改用常规法或末端加压法测量。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 空气湿度过大 空气湿度大使介损测量值异常增大（或减小甚至为负）且不稳定，必要时可加屏蔽环。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 发电机供电 发电机供电时输入频率不稳定，可采用定频50Hz模式工作。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 工作模式选择 接好线后请选择正确的测量工作模式（正、反和CVT），不可选错。干扰环境下应选用变频抗干扰模式。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 测试线 由于长期使用和连接，易造成测试线芯线和屏蔽短路或插座接触不良，用户应经常维护测试线； 测试标准电容试品时，应使用全屏蔽插头连接，以消除附加杂散电容影响，否则不能反映出仪器精度； 自激法测量CVT时，高压线应吊起悬空，否则对地附加杂散电容和介损会引起测量误差。 （5）AI-6000介损仪的 现场试验注意事项 试验方法影响 由于介损测量受试验方法影响较大，应区分是试验方法误差还是仪器误差。出现问题时可首先检查接线，然后检查是否仪器故障。 电瓷式PT ①常规法 一次AX短接接高压，用反接线，测试电压3kV，各二次尾连接一起接地 ②末端屏蔽法 A接高压10kV，X接地，二次首首连或尾尾连接CX ③末端加压法 A接地，X接高压3kV，二次首首连或尾尾连接CX 电容式电压互感器CVT 对有中间抽头的CVT，可做常规正/反接线。 对无中间抽头的CVT，应采用自激法做CVT的介损试验。最上节C11, 反接线法测量。 4 ．影响 t anδ测量的因素和注意事项 （ 1 ）试品表面的影响： 当被试品表面脏污、受潮后，表面泄漏增加，会给测量结果带来严重影响，特别对小电容量设备如互感器、套管等，可能引起误判断。 4 ．影响 t anδ测量的因素和注意事项 处理措施如下： 1 ）将瓷套表面清理、擦拭干净，在表面干燥的情况下测量。 2 ）在瓷套表面涂抹硅油或硅脂。 3 ）在瓷套表面的瓷裙涂石蜡并用布擦匀。 4 ．影响 t anδ测量的因素和注意事项 （ 2 ）干扰的影响： 被试设备附近有带电设备、电场（磁场）都影响测量。因此在测量时，应设法消除这些影响。 （ 3 ） 一般情况下，被试品大多由多个元部件串、并联组成。 t anδ对局部缺陷反应不灵敏，能分解试验时，尽量分解试验。 4 ．影响 t anδ测量的因素和注意事项 （ 4 ）试验接线的影响。 试验接线的杂散电容影响测量的准确性。测量变压器的t anδ时，被测绕组短接接高压，非被试绕组短接接地。 5 ．试验结果的分析判断 （ 1 ）试验结果不能超过规程规定的标准。 进行对比时应换算到同一温度，换算公式如下： t anδ t2 = t anδ t1 ×1.3 （ t2- t1） / 10 式中， t anδ t1 、 t anδ t2分别为温度 t1、 t2时的 t anδ值。 5 ．试验结果的分析判断 （2）与历次测量结果比较。 特别是上一次的测量结果比较不应有显著变化（一般不大于 30 % ）。还可与同类型设备比较或不同相间进行比较。即使 t anδ值未超过标准，但突然明显增大时，就应查明原因，否则常常会在运行中发生事故。 5 ．试验结果的分析判断 （ 3 ）利用 t anδ =f （ u ）曲线分析。 绘制曲线的数值必须换算到同一温度下。 四、交流耐压试验 工频交流耐压试验 考核设备绝缘承受各种过电压的能力，而且能有效地发现绝缘中存在的危险的集中性缺陷，是检验电气设备绝缘可靠性的重要依据。 四、工频交流耐压试验 交流耐压试验时，其电压在绝缘中的分配是按电容量大小成反比分配的，这与在直流