mos管有源电阻和无源器件[精品].ppt

无源器件－电容 MOS器件作电容 由于MOS管中存在着明显的电容结构，因此可以用MOS器件制作成一个电容使用。 如果一个NMOS管的源、漏、衬底都接地而栅电压接正电压，当VG上升并达到Vth时在多晶硅下的衬底表面将开始出现一反型层。在这种条件下NMOS可看成一个二端器件，并且不同的栅压会产生厚度不一样的反型层，从而有不同的电容值。 * 无源器件－电容 1、耗尽型区： 栅压为一很负的值，栅上的负电压就会把衬底中的空穴吸引到氧化层表面，即构成了积累区，此时，由于只有积累区出现，而无反型层，且积累层的厚度很厚，因此积累层的电容可以忽略。此时的NMOS管可以看成一个单位面积电容为Cox的电容，其中间介质则为栅氧。 当VGS上升时，衬底表面的空穴浓度下降，积累层厚度减小，则积累层电容增大，该电容与栅氧电容相串后使总电容减小，直至VGS趋于0，积累层消失，当VGS略大于0时，在栅氧下产生了耗尽层，总电容最小。 * 无源器件－电容 2、弱反型区 VGS继续上升，则在栅氧下面就产生耗尽层，并开始出现反型层，该器件进入了弱反型区，在这种模式下，其电容由Cox与Cb串联而成，并随VGS的增大，其电容量逐步增大。 3、强反型区 当VGS超过Vth时，其二氧化硅表面则保持为一沟道，且其单位电容又为Cox。 * 无源器件－电容 金属与多晶电容（MIP） 通过NMOS与CMOS硅栅工艺实现，在蒸铝之前用光刻的方法刻去多晶硅上的厚氧化层，然后在制作栅氧化层时在多晶硅上热生长一薄氧化层，最后蒸铝，从而得到了铝－氧化层－多晶硅电容。这种电容通常位于场区。 当然也可以用多晶硅作为电容的上极板，而金属作为其下极板，介质为氧化层构成电容。 * 无源器件－电容 MIP电容的特点： 可以对多晶条进行修正以获得较精确的电容值。 由于介质变化与张驰使得在Q－V中的滞后，所以CVD氧化层不适用于作为电容介质。 在多晶硅与衬底之间存在寄生电容，由于其介质为厚的场氧化层，因此该寄生电容很小，通常为所需电容的十分之一；而从可靠性考虑，其金属层必须大于介质氧化层，所以金属层与衬底间存在寄生电容，但其值则更小，只为所需电容的百分之一左右。 电压系数为100ppm/V，温度系数为：100ppm/℃。 * 无源器件－电容 多晶与场注入区的电容 只能在带场注入的NMOS与CMOS硅栅工艺中采用，由于该电容的介质为厚的场氧，所以单位面积的氧化层电容较小。 在应用这类电容时，电容的底板必须与衬底相连。 MIM电容 这是最近出现的一种电容结构。 其中的介质层是专门形成的，而不是单纯的场氧。 * 短沟道效应 随着半导体工艺水平的发展以及在实际应用中所要求的高速、低功耗以及小的版图面积等，MOS器件尺寸的不断缩小，在当前的0.13um的CMOS工艺，最小沟道长度已经低于0.15μm，由此会引入一系列高阶效应。 此时，就不能完全用一阶萨氏方程来描述MOS器件的特性，必须考虑按比例缩小后的高阶效应，这种效应统称为短沟道效应。 * 按比例缩小 1　按比例缩小理论 在CMOS工艺中MOS管具有按比例缩小的性质，MOS器件按比例缩小大大改进了数字集成电路的性能表明其有很大的潜力。 按比例缩小有三种理论：恒定电场CF理论、恒定电压CV理论、准恒压QCV理论。 理想的按比例缩小理论即为恒定电场CF理论，是指器件所有的横向和纵向尺寸都缩小α倍（α＞1）；阈值电压和电源电压降低α倍；所有的掺杂浓度增加α倍。因此器件尺寸和电压一起缩小，则晶体管内部所有电场保持不变。 恒定电压按比例缩小理论是指器件尺寸减小α倍，掺杂浓度增大α倍，而电压保持不变，因而电场增大α倍。 而准恒压按比例缩小理论是介于以上两种理论之间。 * 按比例缩小的影响 主要介绍CF理论对MOS器件的一些主要参数性能的影响。 1、MOS管的电容 1）总的栅氧电容 由于器件的纵向尺寸按比使缩小了α倍，则栅氧厚度也缩小了α倍，所以单位面积的栅氧电容增大了α倍。 器件总的栅氧电容则为： 　 　　　　　　　　　　　　　　 上式表明器件总的栅氧电容减小为原来的1/α。 * 按比例缩小的影响 2）源/漏结电容 主要由底板电容（即耗尽区电容）与侧壁电容构成，所以在分析CF对源/漏结电容的影响时需综合考虑这两部分的影响。 单位面积的耗尽层电容：在按CF理论进行缩小时单位面积的耗尽层电容主要取决于其耗尽层厚度，而耗尽层厚度可表示为： 　　　　　　　　　　　　　 式中NA和ND表示结两边的掺杂浓度，φB＝VTln(NAND/ni2)，VR是反向偏置电压。假定VR＞＞φB，可得： 　 * 按比例缩小的影响 上式表明，耗尽层的厚度也按比例缩小α倍，因此单位面积的耗尽区电容增大了α倍。 再考虑单位宽度的侧壁电容Cjsw，同理，由于pn结结深减小α倍，而耗尽层厚