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第二讲 MOS器件物理(续) MOS管的电特性 主要指： 阈值电压 I/V特性 输入输出转移特性 跨导等电特性 MOS管的电特性 －阈值电压（NMOS） 在漏源电压的作用下刚开始有电流产生时的VG为阈值电压Vth ： 　　 　　ΦMS：指多晶硅栅与硅衬底间的接触电势差 　　　　　　　　　　　　　　　称为费米势，其中q是电子电荷 　　Nsub：衬底的掺杂浓度 　　Qb：耗尽区的电荷密度，其值为　　　　　　　　，其中　 　　　　是硅的介电常数 　　Cox：单位面积的栅氧电容，　　　　　　　　，　　　　　　 　　Qss：氧化层中单位面积的正电荷 　　VFB：平带电压，VFB＝ MOS管的电特性 －阈值电压 同理PMOS管的阈值电压可表示为： 注意： 器件的阈值电压主要通过改变衬底掺杂浓度、衬底表面浓度或改变氧化层中的电荷密度来调整，对于增强型MOS管，适当增加衬底浓度，减小氧化层中的正电荷即可使其阈值大于0；而氧化层中的正电荷较大或衬底浓度太小都可形成耗尽型NMOS 。 实际上，用以上方程求出的“内在”阈值在电路设计过程中可能不适用，在实际设计过程中，常通过改变多晶与硅之间的接触电势即：在沟道中注入杂质，或通过对多晶硅掺杂金属的方法来调整阈值电压。比如：若在p型衬底中掺杂三价离子形成一层薄的p＋区，为了实现耗尽，其栅电压必须提高，从而提高了阈值电压。 MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） MOS晶体管的输出电流－电压特性的经典描述是萨氏方程。 忽略二次效应，对于NMOS管导通时的萨氏方程为： 　　　 　　　　　　　　　 　　　 　　VGS－Vth：MOS管的“过驱动电压” 　　L：指沟道的有效长度 　　W/L称为宽长比 　　　　　　　　　　　，称为NMOS管的导电因子 ID的值取决于工艺参数：μnCox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。 MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） 截止区：VGS≤Vth，ID＝0； 线性区：VDS≤VGS－Vth，漏极电流即为萨氏方程。 深三极管区：VDS2（VGS－Vth）时称MOS管工作在，萨氏方程可近似为： 上式表明在VDS较小时，ID是VDS的线性函数，即这时MOS管可等效为一个电阻，其阻值为： 　 即：处于深三极管区的MOS管可等效为一个受过驱动电压控制的可控电阻，当VGS一定时，沟道直流导通电阻近似为一恒定的电阻。 MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） 饱和区：VDS≥VGS－Vth： 漏极电流并不是随VDS增大而无限增大的，在VDS＞VGS－Vth时，MOS管进入饱和区：此时在沟道中发生了夹断现象。 萨氏方程两边对VDS求导，可求出当VDS＝VGS－Vth时，电流有最大值，其值为： 　　 这就是饱和萨氏方程。 MOS管的电特性－输出特性（I/V特性） 转移特性曲线 在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。 转移特性曲线 在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压 注意 ，Vth0为无衬偏时的开启电压，而 是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压 从物理意义上而言， 为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。 转移特性曲线 从转移特性曲线可以得到导电因子KN（或KP），根据饱和萨氏方程可知： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 即有： 所以KN即为转移特性曲线的斜率。 MOS管的直流导通电阻 定义：MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。 饱和区： 线性区： 深三极管区： 饱和区MOS管的跨导与导纳 工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该MOS管越灵敏，在同样的过驱动电压（VGS－Vth）下能引起更大的电流，根据定义，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即： 饱和区MOS管的跨导与导纳 讨论1： 在KN（KP）为常数（W/L为常数）时，跨导与过驱动电压成正比，或与漏极电流ID的平方根成正比。 若漏极电流ID恒定时，则跨导与过驱动电压成反比，而与KN的平方根成正比。 为了提高跨导，可以通过增大KN（增大宽长比，增大Cox等），也可以通过增大ID来实现，但以增大宽长比为最有效。 饱和区MOS管的跨导与导纳 讨论2：