硅衬底LED芯片主要制造工艺解析.pdf

硅衬底 LED 芯片主要制造工艺 1993 年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际 上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和 导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足 之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势， 因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本 日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬 底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热 点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国家 863 计划项目“基于Si衬底的功率型GaN 基LED制造技术”，经过近三年的研制开发，目前已通过科技部项目验收。 1、Si衬底LED芯片制造 1.1 技术路线 在Si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。 工艺流程：在Si衬底上生长AlN缓冲层→生长n型GaN→生长InGaN ／GaN多量子阱发 光层→生长p型AIGaN层→生长p型GaN层→键合带Ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥 离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金→钝化→划片→测试→包装。 1.2 主要制造工艺 采用Thomas Swan CCS低压MOCVD系统在50 mm si(111)衬底上生长GaN基MQW结 构。使用三甲基镓(TMGa)为Ga源、三甲基铝(TMAI)为Al源、三甲基铟(TMIn)为In源、氨气 (NH3)为N源、硅烷(SiH4)和二茂镁(CP2Mg)分别用作n型和p型掺杂剂。首先在Si(111)衬底 上外延生长AlN缓冲层，然后依次生长n型GaN层、InGaN ／GaN多量子阱发光层、p型AlGaN 层、p型GaN层，接着在p面制作Ag反射镜并形成p型欧姆接触，然后通过热压焊方法把外延 层转移到导电基板上，再用Si腐蚀液把Si衬底腐蚀去除并暴露n型GaN层，使用碱腐蚀液对n 型面粗化后再形成n型欧姆接触，这样就完成了垂直结构LED芯片的制作。结构图见图 1。 图 1 Si 衬底 GaN 基 LED 芯片结构图 从结构图中看出，Si衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au 电极、Si基板、 粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、GaN外延层、粗化表面和Au 电极。这种结构芯片电流 垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效 率高。 • 1.3 关键技术及创新性 用Si作GaN发光二极管衬底，虽然使LED的制造成本大大降低，也解决了专利垄断问题， 然而与蓝宝石和SiC相比，在Si衬底上生长GaN更为困难，因为这两者之间的热失配和晶格 失配更大，Si与GaN的热膨胀系数差别也将导致GaN膜出现龟裂，晶格常数差会在GaN外 延层中造成高的位错密度；另外Si衬底LED还可能因为Si与GaN之间有 0.5 V的异质势垒而 使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串联电阻增大，还有Si吸收可 见光会降低LED的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控 制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型GaN欧姆电极制备技术及键合 技术、高出光效率的外延材料表面粗化技术、衬底图形化技术、优化的垂直结构芯片设计技 术，在大量的试验和探索中，解决了许多技术难题，最终成功制备出尺寸 1 mm×1 mm，350 mA下光输出功率大于 380 mW、发光波长451 nm 、工作电压 3.2 V的蓝色发光芯片，完成 课题规定的指标。采用的关键技术及技术创新性有以下几个方面。 (1)采用多种在线控制技术，降低了外延材料中的刃位错和螺位错，改善了Si与GaN两 者之间的热失配和晶格失配，解决了GaN单晶膜的龟裂问题，获得了厚度大于 4 μm的无裂 纹GaN外延膜。 (2)通过引入 AIN ，AlGaN 多层缓冲层，大大缓解了 Si 衬底上外延 GaN 材料的应力， 提高了晶体质量，从而提高了发光效率。