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Auuthor: Jackie Loong
EEPRROM原理理详解
EEPROM （EElectrically Errasable Prograammable reaad only memoory）即电可可擦可编程只读读存
储器器，是一种掉掉电后数据不不丢失（不挥发）存储芯片片。
EERPOM的基本结构有几几种，这里讲讲解比较常用用的FLOTOX管结构，如下图所示：
FLOTOX （Floating Gate TTunneling Oxide）MOS管管即浮栅隧道道氧化层晶体体管，它是在标准
CMOOS工艺的基础上衍生的技技术。
如上图所示示，在传统的MOS管控制制栅下插入一一层多晶硅浮浮栅，浮栅周周围的氧化层与绝
缘层层将其与各电电极相互隔离离，这些氧化物物的电阻非常常高，而且电电子从浮栅的的导带向周围氧化
物导导带的移动需需要克服较高高的势叠，因此此，浮栅中的的电子泄漏速速度很慢，在在非热平衡的亚稳
态下下可保持数十十年。
浮栅延长区区的下方有个个薄氧区小窗口，在外加强强电场的作用用下漏极与浮浮栅之间可以进行
双向向电子流动，继而达到对对存储单元的 “擦除”与“写入”操作作。
为强调浮栅栅周围氧化物物的绝缘效果，我们把绝缘缘层去掉，如如下图所示，其中的“电电子”
就是是我们需要存存储的数据：
1 All rights reserved, NO Spreading without Authorization
Auuthor: Jackie Loong
其原理图符符号如下所示示：
我们通常利利用F‐N隧道效应（Fowleer‐Nordheim tunneling）对对EEPROM存存储单元进行行“擦
除”或“写入”操作，简单地说，即FLLOTOX管的控控制栅极与漏漏极在强电场场的作用下（正向
或负负向），浮栅中中的电子获得得足够的能量量后，穿过二二氧化硅层的的禁带到达导导带，这样电子可
自由由向衬底移动动 （具体细节节可自行参考相相关资料，此此处不赘述））。
对EEPROM存储单元进进行“擦除”操操作，就是将将电子注入到到浮栅中的过过程（不要将将此处
的 ““擦除”操作作与 FLASH存存储单元中的的 “擦除”操操作弄反了，具体参考 FLLASH 对应文章），
如下下图所示：
2 All rights reserved, NO Spreading without Authorization
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