第八讲：COMS IC工艺流程(半导体制造技术).ppt.ppt

* * * * * Figure 7 - COMS IC 制造工艺流程 * Figure 7 - CMOS工艺流程中的主要制造步骤 Figure 9.1 Oxidation (Field oxide) Silicon substrate Silicon dioxide oxygen Photoresist Develop oxide Photoresist Coating photoresist Mask-Wafer Alignment and Exposure Mask UV light Exposed Photoresist exposed photoresist G S D Active Regions top nitride S D G silicon nitride Nitride Deposition Contact holes S D G Contact Etch Ion Implantation resist ox D G Scanning ion beam S Metal Deposition and Etch drain S D G Metal contacts Polysilicon Deposition polysilicon Silane gas Dopant gas Oxidation (Gate oxide) gate oxide oxygen Photoresist Strip oxide RF Power Ionized oxygen gas Oxide Etch photoresist oxide RF Power Ionized CF4 gas Polysilicon Mask and Etch RF Power oxide Ionized CCl4 gas poly gate RF Power * Figure 7 - 1. 双井工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺 5. 侧墙的形成 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触孔的形成 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3、压点及合金 14. 参数测试 Passivation layer Bonding pad metal p+ Silicon substrate LI oxide STI n-well p-well ILD-1 ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 Poly gate p- Epitaxial layer p+ ILD-6 LI metal Via p+ p+ n+ n+ n+ 2 3 1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 CMOS 制作步骤 * Figure 7 - 一、双井工艺 n-well Formation 1）外延生长2）厚氧化生长 保护外延层免受污染；阻止了在注入过程中对 硅片的过渡损伤；作为氧化物屏蔽层，有助于控制注入过程中 杂质的注入深度。3）第一层掩膜4）n井注入（高能）5）退火 * Figure 7 - p-well Formation1）第二层掩膜2） P井注入(高能)3）退火 Figure 9.9 * Figure 7 - Figure 9.10 二、浅曹隔离工艺 STI 槽刻蚀1）隔离氧化层2）氮化物淀积3）第三层掩膜，浅曹隔离4）STI槽刻蚀（氮化硅的作用：坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积 过程中保护有源区；在CMP中充当抛光的阻挡材料。） * Figure 7 - STI Oxide Fill1）沟槽衬垫氧化硅2）沟槽CVD氧化物填充 * Figure 7 - STI Formation1）浅曹氧化物抛光（化学机械抛光）2）氮化物去除 * Figure 7 - 三、Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。1）栅氧化层的生长2）多晶硅淀积3）第四层掩膜，多晶硅栅4）多晶硅栅刻蚀 Figure 9.13 * Figure 7 - 四、轻掺杂；漏注入工艺 随着栅的宽度不断减小，栅下的沟道长度也不断减小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性，并引起不希望的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流的发生。 n- LDD Implant1）第五层掩膜2） n-LDD注入（低能量