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模拟电子技术 3 半导体二极管
基本要求;一、半导体的特性;二、本征半导体、空穴及其导电作用;2. 共价键
（晶体结构）;3. 本征激发（热激发）;束缚电子从;三、杂质半导体; 五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而容易形成自由电子。; 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。; ①掺杂对半导体的导电性能有很大的影响。; 3.2.1 载流子的漂移与扩散;3.2.2 PN结的形成; 因浓度差;3.2.3 PN结的单向导电性;(2) PN 结加反向电压(反偏); PN结加正向电压时， 具有较大的正向扩散电流。 PN结呈现低电阻，导通。
PN结加反向电压时， 具有很小的反向漂移电流。 PN结呈现高电阻，截止。
由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; (3) PN结V-I 特性表达式; (3) PN结V-I 特性表达式;在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。;(3) 平面型二极管;Si二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，
Ge二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ;Si二极管的饱和电流Is 1μΑ ，
Ge二极管的饱和电流Is 为几个μΑ ~ 十几个μΑ
IS对温度敏感； IS越小越好;锗二极管2AP15的V-I 特性; 3.3.3 二极管的主要参数;介绍几个概念;(2) 如何判断D导通或截止 ;(3)关于优先导通;;(3)低压稳压;3.5 特殊二极管;（a）符号 （b）正向V-I特性;光电传输系统 ;稳压管是特殊的面接触型半导体硅二极管,工作在反向击穿状态（齐纳击穿）。其反向击穿是可逆的,且反向电压较稳定（V-I特性较陡）。;练习1;练习2;练习3 ;作业
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