工作原理和伏安特性曲线结型场效应管的结构.ppt

2.3 半导体三极管 2.3.1半导体三极管的基本结构 2.3.2三极管的电流放大原理 2.3.3三极管的伏安特性曲线 2.3.4三极管的主要参数 2.3.5三极管的等效电路及应用 2.3.6特种三极管 两个PN结构成： NPN型结构示意图 NPN型符号 PNP型符号 基极 2.3.1半导体三极管的基本结构 中间的一个区是两个PN结公用的，叫基区。 另外两个一个叫发射区，一个叫集电区。发射区与基区之间的PN结称为发射结，集电区与基区之间的PN结叫集电结。 作为一个具有放大能力的元件，晶体管在结构上必须： 发射区掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度大于基区掺杂浓度。 基区必须很薄，一般只要几个微米。杂质浓度低。 集电区的面积较大，利于收集载流子。 上面说的这3个特点是晶体管有放大作用的基础。 晶体管的电流分配关系和放大作用:为了实现放大作用必须给晶体管的发射结加正向电压(P区接正)，集电结加反向电压(N区接正)。有以下几种接法： b c c e b b c e (a) (b) (c) V V V 图3-13 三极管在放大电路中的三种连接方式 （a）共基极；（b）共发射极；（c）共集电极 晶体管的电流分配关系： 重要的关系： ?＝ic/iB ?代表ic对iB的控制作用， ?越大，控制作用越强。 晶体管的放大作用：本质就是它对电流的控制作用 PNP型晶体管 电源极性不同，电流方向不同于NPN型。 2.3.2三极管的电流放大原理 以共射接法为例来分析晶体管内部载流子运动规律和电流分配 1.发射结处于正向偏置： （Vbb正极接基极b，负极接发射极） 工作条件： 2.集电结处于反向偏置： （Vcc正极接集电极c，负极接发射极） 其中Vcc的数值比Vbb的数值大很多 内部条件： 基区很薄、发射区的杂质浓度远高于基区、集电区的面积较大。 具体过程： 1.发射:发射结正偏，发射区有大量的自由电子越过发射结向基区扩散，而基区中的空穴向发射区扩散，形成发射极电流IE 。 由于基区空穴浓度很低，基区的多子对发射区的扩散可以忽略不计。 2.复合:在扩散过程中，有部分电子遇到基区的空穴并和它复合。而在基区的电源的正极又不断从基区拉走电子，也就是不断的给基区供给空穴。形成了基极电流IB 。 3.收集:由发射区进入基区的电子，开始时都聚集在靠近发射结的一边，而靠近集电结一边的自由电子很少，由于浓度上的差别，自由电子将继续向集电结一方扩散。 由于集电结反偏，外电场的方向将阻止集电区的多子向基区运动，有利于将扩散到集电结的自由电子收集到集电极，形成集电极电流IC 。 4.少数载流子的运动 在外电场的作用下，漂移运动形成的反向电流，称为反向饱和电流。数值很小,可以忽略不计。 iR/?A c b IE e V IC IB UBB UCE RB RC 80 60 40 20 0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE/V uCE=0V uCE≥1V 25℃ iC/mA 4 3 2.3 2 1.5 1 0 2 4 6 8 uBE/V iB=20 ?A 25℃ 饱和区 放大区 100 60 40 截止区 ΔiC ΔiB 80 Q （a） （b） （c） NPN管的共射极特性曲线 （a）电路图；（b）输入特性曲线；（c）输出特性曲线 2.3.3三极管的伏安特性曲线 工程上一般把整个输出特性曲线分为3个不同性质的区域： (1).截止区 它对应于输出特性曲线上IB＝0以下的区域。发射结电压UBE0.5V (硅) (2).饱和区 它是指输出特性曲线左侧，即IC近于直线上升(包括弯曲处)的区域。UCEUBE ， UCE 用UCES表示。发射结正偏，集电结也正偏。 (3).放大区 它是指IB＝0特性曲线的上方，各输出特性曲线近似水平的区域。发射结正偏，集电结反偏。 2.3.4三极管的主要参数(简介以下几个:) 1、共发射极电流放大系数?（线性工作区） 表示的是集电极电压一定时，集电极电流和基极电流之间的关系。 2、集电极－基极反向饱和电流ICBO 指发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流 3、穿透电流ICEO 是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流 4、集电极