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用C语言操作SPMC75内部FLSASH 文章来源：凌阳单片机推广中心? 发布时间：2006-2-16 12:17:43 摘? 要： SPMC75系列单片机的内部程序存储器采用Flash，其中有一部分Flash在程序自由运行模式下可以由程序擦除、写入，本文主要介绍采用 C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法。关键词：SPMC75 ?1?引言　　支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求，当然SPMC75系列单片机也不例外。μnSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持，GCC就是一种针对μnSPTM 操作平台的ANSI－C编译器。但是在应用中对于程序的设计，特别是C和ASM混合使用的时候有些地方是需要注意的，在C中如何嵌入ASM也是一个不可回避的问题。 2?SPMC75单片机FLASH硬件资源分析　　SPMC75系列微控制器Flash分为两区：信息区和通用区，在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字，寻址空间为0x8000 ～ 0x803F。地址0x8000为系统选项寄存器P_System_Option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如：版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。　　32k字的内嵌Flash(embedded Flash)被划分为16个页，每页2K字，每页可分为8块，这样32K的Flash就可以分成128个块。只有位于00F000 ～00F7FF区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写，其他页均为只读。SPMC75系列微控制器的32K字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。 图2-1信息区结构?　　　　　?????????????? 图2-2页和帧结构 2.1? FLASH操作◆ FLASH相关寄存器　　Flash有两个控制寄存器：P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd? ($7555).。　　P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。 表 2-1 Flash寄存器和系统寄存器 地址 寄存器 名称 704Dh P_Flash_RW 内嵌 Flash 的访问控制寄存器 7555h P_Flash_Cmd 内嵌 Flash 的控制寄存器 　　P_Flash_RW ($704D)：内嵌的Flash访问控制寄存器　　P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。 B15 B14 B13 B12 B11 B10 B9 B8 R R/W R R R R R R 1 0 1 1 1 1 1 1 保留 BK14WENB BK13WENB BK12WENB BK11WENB BK10WENB BK9WENB BK8WENB B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 R R R R R R R R 1 1 1 1 1 1 1 1 BK7WENB BK6WENB BK5WENB BK4WENB BK3WENB BK2WENB BK1WENB BK0WENB 　　用控制寄存器将页设置内嵌FLASH为只读或可读可写模式。 \ 类型 ( 默认 ) 页 块 描述 B[15] 保留 B[14] R/W (0) Bank 14 Frame 112~119 F000h-F7FFh 访问控制 1= 只读 0= 读 / 写 B[13:0] 保留 　　P_Flash_Cmd? ($7555)：内嵌的Flash访问控制寄存器　　用于处理Flash的指令，见表2-3 B15 B14 B13 B12 B11 B10 B9 B8 W W W W W W W W 0 0 0 0 0 0 0 0 FlashCtrl B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 W W W W W W W W 0 0 0 0 0 0 0 0 FlashCtrl 表 2-2 指令功能和操作流程 块擦除 单字写模式 连续多字写模式 第一步 P_Flash_CMD = 0xAAAA 第二步 [ P_Flash_CMD ] = 0x5511 [ P_Flash_CM