磷化铟后段晶圆制程之孔洞蚀刻制程研究.PDFVIP

磷化銦後段晶圓製程之孔洞蝕刻製程研究 研究生 ：陳昌隆 指導教授 張： 翼 博士 工學院專班半導體材料與製程設備組 國立交通大學 摘要 本論文的研究實驗目的是在研究出適當的 4吋磷化銦晶圓後段製程以及研究磷化銦 材料的乾式蝕刻機制。從結果發現使用次氯化硼 (BCl3)與氯氣(Cl2)為主要的蝕刻氣 體可得到每分鐘 1.2 微米的高蝕刻率在高寬深比是 2:1的 100微米厚的晶圓，而且 所使用的非光阻光罩材料對磷化銦的蝕刻選擇比超過 200 比 1。所蝕刻出來的孔洞用 高頻微波分析儀量測特定的監控元件可得到 46pH。 I A Study of Dry Etching process for InP backside vias Student: Minkar Chen Advisor: Dr. Edward Yi Chang College of Engineering National Chiao Tung University Abstract The purpose of my studies is to investigate a proper backside process for 4 inches InP wafers and to do research of the dry etching mechanism of InP material. The result represents that there is 1.2 μm/min high etching rate at the aspect ratio 2, for 50 μm diameter via in 100 μm thick wafer thickness. The selectivity of hard mask to InP is over 200:1 by using much more safe etching process with BCl3/Cl2 gases composition. The backside via inductance is 46 pH which was measured by an S parameter measurement tool at the particular PCM structures. II 致謝 首先我要感謝我的父親 中村先生 、母親 潘 尾春女士、妹妹 素琴和 弟弟 昌惠，雖然父親大人在我中學畢業的暑假辭世，但是他對我做人處 事上影響很深，母親更甚，辛苦教導我們栽培我們長大成人。而妹妹和弟 弟是我的精神依靠，從小共患難。在這三年多的求學過程中，可以讓我全 力專注於學業，進而完成學業，幕後最大的推手，莫過於總是躲在角落默 默支持我的『牽手』 劉 惠玫女士，因為她的體貼，她的鼓勵，讓我完全 沒有後顧之憂，並在這期間全心全意照顧我的一雙兒女 (女:羽柔 13 歲， 子浩群: 2 歲感謝他所為我做的一切。 ) 特別感謝漢威光電 沈義德 博士，個人在任職漢威光電時，給我的提 攜與關懷，之後在全球聯合半導體開始進行本論文之實驗開發，在產品的 開發與論文的撰寫過程當中，更要感謝 侯立平 博士、王興國 博士及 楊 悅非 博士，給我許多經驗的教導，