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第8章 半导体表面和MIS结构 本章重点： 表面态概念 表面电场效应 硅-二氧化硅系统性质 MIS结构电容-电压特性 表面电场对pn结特性的影响 8.1表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，同样也应引起附加能级。这种能级称作达姆表面能级。 悬挂键所对应的电子能态就是表面态 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。 测量表明硅表面能级分两组，一组是施主能级，靠近价带；一组位受主能级，靠近导带。 8.2表面电场效应 理想MIS结构 （1）金属与半导体间的功函数差为零； （2）在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； （3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 8.2.1空间电荷层及表面势 空间电荷层：成因。 表面势：空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。 三种情况：多子堆积、多子耗尽和少子反型。 以p型半导体为例： 1.多数载流子堆积状态 金属与半导体表面加负压，表面势为负，表面处能带向上弯曲。 2.多数载流子耗尽状态 金属与半导体表面加正压，表面势为正，表面处能带向下弯曲，表面处空穴远低于体内空穴浓度。 3.少数载流子反型状态 当金属与半导体表面间正压进一步增大，表面处费米能级位置可能高于禁带中央能量，形成反型层。半导体空间电荷层的负电荷由两部分组成：耗尽层中已经电离的受主负电荷和反型层中的电子。 n 型半导体 金属与半导体间加正压，多子堆积； 金属与半导体间加不太高的负压，多子耗尽； 金属与半导体间加高负压，少子反型； 8.2.2表面空间电荷层的电场、电势和电容 规定x轴垂直于表面指向半导体内部，表面处为x轴原点。 采用一维近似处理方法。空间电荷层中电势满足泊松方程 其中 设半导体表面层仍可以使用经典分布，则在电势为V的x点（半导体内部电势为0），电子和空穴的浓度分别为 在半导体内部，电中性条件成立，故 即 带入可得 上式两边乘以dV并积分，得到 将上式两边积分，并根据 得 令 分别称为德拜长度 ，F函数。 则 式中当V大于0时，取“+”号；小于0时，取“-”号。 在表面处V=Vs，半导体表面处电场强度 根据高斯定理，表面电荷面密度Qs与表面处的电场强度有如下关系 带入可得 当金属电极为正，即Vs0，Qs用负号；反之Qs用正号。 在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为 考虑到x=0，V=Vs和x=∞，V=0，则得 同理可得 微分电容 单位F/m2。 * * ，