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SVF10N65T/F 说明书 10A、650V N沟道增强型场效应管 描述 SVF10N65T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 10A，650V，RDS(on)(典型值)=0.80Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 产品命名规则 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF10N65T TO-220-3L SVF10N65T 无铅 料管 SVF10N65F TO-220F-3L SVF10N65F 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.2 2011.08.26 Http:// 共8页 第1页 SVF10N65T/F 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 符 号 单位 SVF10N65T SVF10N65F 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V T = 25°C 10.0 C 漏极电流 ID A TC = 100°C 5.5 漏极脉冲电流 IDM 40 A 耗散功率（T =25°C ） 156 50 W C PD - 大于 25°C 每摄氏度减少