第二章：亮剑：国运之战-中国半导体产业的思考.pdfVIP

亮剑！国运之战：第二章 原创2018-03-08郑震湘 公@众@号：云水十千，仅供整体学习之用。 中国半导体产业的思考-随笔之《亮剑》 第二章 大争之世，全球半导体第一次DRAM 世界大战吹响了号角。美日半导体 DRAM 战争，全球科技战争的第一个经典案例，为我们展示国家之间的产业战 争，如何提升到国家间科技综合实力的较量，并最终上升到国家间全面的政 治、经济的国运之战。第一次充分诠释了，半导体发展中国家如何通过DRAM 内存崛起而成为全球半导体大国、强国之路。 第一次DRAM 世界大战-美日半导体战争，1972-1985 年 第一次DRAM 世界大战，主战场是美日半导体战争，整个战争分为三个阶 段，第一阶段，1972-1974 年；第二阶段，1975-1981 年；第三阶段，1982- 1985 年。 第一次DRAM 世界大战-美日半导体战争，第一阶段，1972-1974 年， 尼克松访华，中美初步接触缓和。英特尔发布了半导体工业历史上具有重大历 史意义的1K DRAM 产品-C1103，取代磁芯存储器，占据全球DRAM 市场 份额82.9%。成为全球半导体内存市场上的第一个霸主。英特尔1K DRAM 产品C1103，硅片直径为50mm，芯片面积为8.5mm2，集成度为5000。 核心技术：1K DRAM，MOS 工艺、三晶体管单元和刷新技术等。 英特尔依托于仙童积累的技术优势，快速推出了两款神级产品。1） C1101，256b SRAM，全球第一个大容量的静态随机存储器。2）C1103， 1Kb DRAM，动态随机存储器，标志着全球半导体DRAM 内存时代的到来。 英特尔1K DRAM-C1103，硅片直径为50mm，芯片面积为8.5mm2， 集成度为5000，采用主要技术为三晶体管单元和刷新技术。C1103 是基于3 个晶体管的存储单元结构，这种设计理念最初源自霍尼韦尔的威廉·雷吉茨，具 有高单元密度和低制造成本的优势。当然也有缺点，就是芯片在无供电的状态 下无法保存数据信息，而且每隔2 毫秒就需要加压一次。 无论如何，C1103 标志着全球半导体DRAM 内存时代到来。C1103 面世 之后，后面许多半导体巨头包括中国在内，都对其进行分析、研究和逆向工 程。C1103 对于全球半导体工业的意义影响深远，不亚于美国第一颗原子弹爆 炸。 C1103 成本只有磁芯存储器的10%，一面世就获得快速的普及，号称磁芯 存储器杀手，到1974 年仅用4 年时间，英特尔就占据全球DRAM 市场 82.9%份额，成为全球半导体内存市场第一个霸主。这一时期美国在大型机和 小型机方面，基本垄断全球。大型机主要被IBM 和七家公司所控制（GE、 NCR、CDC、RCA、UNIVAC、Burroughs 和Honeywell）；小型机则由 DEC 和惠普等十几家控制。 英特尔1K DRAM 产品C1103 获得巨大成功，关键在于采用MOS 工艺取 代传统的双极性工艺技术，C1103 的硅片直径为50mm，芯片面积为 8.5mm2，集成度为5000，采用技术为三晶体管单元和刷新技术。相对于双极 性技术，MOS 技术不仅能耗少，而且集成度高。C1103 产品进一步奠定 DRAM 成为计算机存储指令和数据的主流。 仙童Vs 德州仪器的旧恨演变为：英特尔Vs 莫斯泰克的新仇 英特尔在1K DRAM 上的巨大领先，德州仪器是新仇加旧恨。早在1970 年英特尔发布C1103 后，德州仪器便对其进行拆解仿制，通过逆向工程，研究 其DRAM 存储器结构。后来，德州仪器据此发布了2K、4K DRAM ，和英特 尔直接怒怂，一舒当年集成电路发明权之争的一口恶气。 英特尔：小德，你丫这是盗版！ 德州仪器：盗版？老子一口盐汽水喷死你，你这没文化的，这叫“逆向工 程”，懂不。小英呀，来，我们讨论一下集成电路发明权的问题。 德州仪器的MOS 场效应管首席工程师L.J.Sevin，辞职后创办了莫斯泰 克，不仅继承德仪的技术基因，也继承文化基因。英特尔的好日子，没几年 啦。 1971 年德州仪器和英特尔开始争夺微处理器的发明专利。从集成电路到微 处理器争斗不休的德州仪器和英特尔，在1971 年双方作出了一个至今仍影响 着全球半导体产业的重大决策。 1971 年，德州仪器与英特尔