电器基础教材2.pdfVIP

半导体 自1948年第一个晶体管问世以来,半导体技术有了飞跃的发展.由于半导体器 件具有重量轻,体积小,耗电少,寿命长,工作可靠的优点,在现代农业,现代工业, 现代科学技术和现代国防中得到广泛的应用. PN结是构成各种半导体器件的共同基础,我们将讨论PN结的基本原理. 所谓半导体,就是它的导电能力介于导体和绝缘体之间.如硅,锗,硒以及大多 数金属氧化物和硫化物都是半导体.很多半导体的导电能力在不同条件下有很大 的差别.例如有些半导体对温度的反应特别灵敏,环境温度增高时,它的导电能力 要增强很多.利用这种特性就做成了各种热敏元件.又如有些半导体(如硫化镉) 受到光照时,它的导电能力变得很强;当无光照时,又变得象绝缘体那样不导电, 利用这种特性就做成了各种光电元件.更重要的是,如果在纯净的半导体中掺入 微量的某种杂质后,它的导电能力就可增加几十万乃至几百万倍. 半导体有如此特殊的导电特性,其根本原因在于事物内部的特殊性. 一.本征半导体 如图是碳,锗,硅的原子结构图,它们各有四个价电子,都是四价元素. 碳 锗 硅 它们的立体结构图与平面示意图分别如图示.半导体一般具有这种晶体结构,所 以半导体也称为晶体.本征半导体是完全纯净的,具有晶体结构的半导体. 在本征半导体的晶体结构中,每一个原子与相邻的四个原子结合.每一原子的 一个价电子与另一个原子的价电子组成一个电子对.这对价电子是每两个相邻原 子共有的,它们把相邻原子结合在一起,构成所谓共价键的结构. 在共价键结构中原子最外层虽然具有八个电子而处于较为稳定的状态,但是共 价键中的电子还不像在绝缘体中的价电子被束博得那样紧,在获得一定能量(温 度增高或受光照)后,即可挣脱原子核的束博(电子受到激发),成为自由电子.温 度越高,晶体中产生的自由电子越多. 在电子挣脱共价键的束博成为自由电子后,共价键中就留下一个空位,称为空 13 穴.在一般情况下,原子是中性的.当电子挣脱共价键的束博成为自由电子后,原 子的中性便被破坏,而显出带正电. 在外电场的作用下,有空穴的原子可以吸引相邻原子中的价电子,填补这个空 穴.同时,在失去了一个价电子的相邻原子的共价键中出现另一个空穴,它也可以 由相邻原子中的价电子来递补,而在该原子中又出现一个空穴,如此继续下去,就 好象空穴在运动.空穴运动的方向与价电子运动的方向相反,因此空穴运动相当 于正电荷的运动. 因此,当半导体两端加上外电压时,半导体中将出现两部分电流:一是自由电子 作定向运动所形成的电子电流,一是仍被原子核束博的价电子递补空穴所形成的 空穴电流.在半导体中,同时存在着电子导电和空穴导电,这是半导体导电方式的 最大特点,也是半导体和金属在导电原理上的本质差别. 自由电子和空穴都称为载流子. 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现,同时又不断复合.在一定温度 下,载流子的产生和复合达到动态平衡,于是半导体中的载流子便维持一定数目. 温度越高,载流子数目越多,导电性能也就越好.所以,温度对半导体器件性能的 影响很大. 二.N型半导体和P型半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子,但由于数量极少,导电能力 仍 然很低.如果在其中掺入微量的杂质(某种元素),这将使掺杂后的半导体(杂质半 导体)的导电性能大大增强. 由于插入杂质的不同,杂质半导体可分为两大类. 一类是在硅或锗的晶体中掺入磷(或其它五价元素).磷原子的最外层有五个价 电子.由于掺入硅晶体的磷原子数比硅原子数少得多,因此整个晶体结构基本上 不变,只是某些位置上的硅原子被磷原子.磷原子参加共价键结构只需四个价电 子,多余的第五个价电子很容易挣脱磷原子核的束博而成为自由电子.于是半导 体中的自由电子数大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,故 称它为电子半导体或N型半导体.在N型半导体中,自由电子是多数载流子,而空 穴是少数载流子. 14 另一类是在硅或锗晶体中掺入硼(或其它三价元素).每个硼原子只有三个价电 子,故在构成共价键结构时,将因缺少一个电子而形成一个空穴.这样,在半导体 中就形成了