电子科技大学物理光学第七章.pptVIP

* * 第七章 半导体器件物理基础 半导体器件有67种，110种变种 由少数基本模块组成（实现其功能） PN结 晶－半接触 MOS结构 异质结 超晶格 第一节 PN结 一、形成和杂质分布 p n 二、平衡p-n结 1、空间电荷区与自建场 n：多电子，少空穴 p：多空穴，少电子 1）存在浓度梯度－扩散 n区：电子－p区，剩下正电荷离子，正电荷区 p区：空穴－n区，剩下负电荷离子，负电荷区 空间电荷：pn结附近电离施主和电离受主所带的电荷 空间电荷区：空间电荷所在的区域 2）电荷分布不均，形成内电场（自建场） 方向：n区－p区 载流子漂移运动，与扩散方向相反，阻碍作用 扩散 运动 空间电 荷增多 空间电 荷区扩展 自建电 场增强 漂移运 动增强 两运动 平衡 无电流 pn结：空间电荷一定 空间电荷区宽度一定 内建场一定 2、平衡pn结能带图 弯曲原因 内建电 场增强 有了能带弯曲 电子从n－p需克服势垒 空穴从p－n需克服势垒 空间电 荷多 电势V（x） 由n－p下降 电子势能 由n－p上升 p区能 带上移 n区能 带下降 EF统一 为止 3、平衡pn结接触电势差 pn结空间电荷区存在电场 空间电荷区两端存在电势差VD n区电势高于p区 定义p区为0，则n区为VD qVD－p-n结的势垒高度 补偿了n区、p区费米能级之差，平衡时处处相等 第二节 半导体表面 1）纯净表面 1、半导体表面态 表面与体内有很大的不同 超高真空下解理、离子轰击、生长等 什么叫表面？ 周期势场被破坏 产生附加能级 表面处势场中断，产生附加能级-表面能级 电子被束缚在表面附近-电子表面态 表面态密度=表面悬挂键密度 1015 2、实际的表面 实际表面会吸附杂质、氧化等 表面态密度下降 会不会为零？ 半导体 氧化层 快态 慢态 施主表面态： 表面能级释放电子后呈正电性 位置靠近价带 受主表面态： 表面能级获得电子后呈负电性 位置靠近导带 3、表面电场效应 表面存在一个电场 施主表面态和受主表面态与体内电子态之间交换电子； 功函数不同的金属和半导体接触； MOS结构或MIS结构； 金属和半导体之间施加电压，产生垂直表面的电场。 1）半导体表面三种状态（n） 表面带正电（施主） 近表面负电荷 积累了电子 静电场 表面－内部 电势差0 表面势能低于体内 能带向下弯曲 电子势阱 表面带负电（受主） 近表面正电荷 排斥电子 静电场内部－表面 电势差0 表面势能高于体内 能带向上弯曲 电子耗尽 表面带负电很大 正电荷增加 表面电场增强 能带弯曲加剧 EF可能低于Ei 表面处空穴浓度超过了电子浓度 与原材料型相反 反型层 反型层和半导体内部之间夹有一层耗尽层 4）理想MOS结构 金属与半导体功函数相同； 在氧化层内没有任何电荷且氧化层完全不导电； 氧化层与半导体界面处不存在任何界面态 M带正，半导体近界面处感应出负电荷，积累层 M带负，半导体界面感应出正电荷，耗尽层、反型层 空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间 所加电压的变化，基本上可归纳成积累、耗尽和 反型三种情况 第三节 金－半接触 1、金－半接触的势垒模型 金属： 根据半导体掺杂浓度不同，产生整流（单向）， 欧姆（双向） 功函数：电子从费米能级到真空能级所需的最小能量 金属和半导体的功函数 半导体： 大，不易离开