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多晶硅铸锭中的杂质和缺陷 摘 要 铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重要因素。 本文综合了多组关于铸造多晶硅中的原生杂质及缺陷以及少子寿命的分布特征研究文献得到的主要结论如下： 硅锭底部及顶部区域内高浓度的铁、氧等杂质为影响少子寿命值的关键因素。 此外，通过择优腐蚀结合光学显微镜以及红外扫描仪研究 硅中的缺陷形态及密度分布。结果显示位错密度大体上呈现从硅锭底部向硅锭顶部逐渐增加的趋势。 关键词：铸造多晶硅，氧，碳，铁，位错，少子寿命 Defects and Impurities in Cast-Grown Polycrystalline Silicon Substrates ABSTRACT Currently,cast multicrystalline silicon has replaced monocrystalline silicon as the main photovoltaic materials.High density of impurities，such as oxygen，carbon and iron，and defects，such as dislocations and gain boundaries，play a crucial role on the degradation of mc-si solar cells performance. In this thesis The main results are as follows： The high concentration of impurities such as iron and oxygen，which can induce electrically active recombination centers， is believed to be responsible for the 1ifetime reduction in the two sides of the ingot． Further，the defects in mc—si were observed by both OM combined with selective etching and SIRM．We found that as expected due to the rapid cooling that occurs there at the end of the casting process KEYWORDS：mc-Si,oxygen,carbon,iron,dislocation,minority carrier lifetime目录 第一章 绪论 1 § 1.1太阳能电池 1 § 1．2多晶体硅太阳电池 2 § 1．3多晶硅材料 3 第二章 多晶硅材料杂质及缺陷 4 §2.1引言 4 § 2.2铸造多晶硅中的主要杂质 4 § 2.2.1 氧 4 § 2.2.2碳 5 § 2.2.3过渡族金属 5 § 2.3铸造多晶硅中的缺陷 6 § 2.3.1晶界 6 § 2.3.2位错 7 § 2.2.3应力 10 § 2.3多晶硅锭中杂质的分布特性 10 § 2-4 小结 13 第三章 铸造多晶硅的工艺研究 14 § 3.1 引言 14 § 3.2硅片的少子寿命及其影响因素 14 § 3.3磷扩散吸杂 15 §3.3.1实验样品及过程 16 §3.3.2实验结果与讨论 16 §3.4钝化工艺 17 §3.5小结 18 总结 19 参考文献 20 致谢 22 第一章 绪论 § 1.1太阳能电池 随着世界经济的发展，能源问题和环境问题显得越来越重要，直接关系到社会经济的可持续发展。常规能源的的局限性、有限性、不可再生性和对坏境的污染使得人们认识到开发利用可再生的清洁能源便成为一种非常重要的途径。太阳能是最重要的清洁的可再生能源。目前，世界各国对太阳能利用的集中在光伏与光热两个方面。人类对光伏的认识可以追述到1839年法国科学家E．Becquerel发现液体的光生伏特效应，即光伏现象。至今已有160多年的历史[1]。但是对太阳电池的实际应用起到决定性作用的是美国贝尔实验室三位科学家关于单晶硅太阳电池的研制成功，在太阳电池发展史上起到了里程碑的作用[2]。至今为止，太阳电池的转换效率得到了很大的提高，工艺也不断的优化。表1-1给出了太阳电池的发展历程。但是太阳电池的基本结构和机理还没有改变，太阳电池还是利用P—N结形成由N区指向P区的内建电场分离由于太阳辐射产生的电子一空穴对，即半导体的光生伏特效应将太阳辐射直接转换为电能。 表