最新磁电式传感器教学课件PPT.ppt

  1. 1、本文档共32页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
最新磁电式传感器教学课件PPT

5.霍尔钳形电流表 测量原理 第7章 磁电式传感器 第7章 磁电式传感器 Magneto electric sensors 主要内容: 掌握磁电感应式传感器的工作原理、分类和基本结构,了 解其应用; 掌握霍尔效应、霍尔传感器的结构、特性参数和基本电路; 能分析霍尔传感器误差来源和补偿方法,了解其实际应用。 磁电式传感器是通过磁电作用将被测量转换成电信号的传感器。 磁电式传感器有 霍尔式传感器 磁电感应式传感器 7.1 磁电感应式传感器 被测量 感应电动势e 磁通量的变化可以通过很多办法来实现,如磁铁与线圈之间作相对运动;磁路中磁阻的变化等。 一般可将磁电感应式传感器分为变磁通式和恒磁通式两类。 磁电感应式传感器工作原理是发电机原理。利用导体和磁场发生相对运动产生感应电势。 由法拉第电磁感应定律可知: 图7-2 变磁通磁电式传感器 1-被测旋转体;2-测量齿轮; 3-线圈;4-软铁;5-永久磁铁 原理:磁阻变化 线圈产生感应电动势 输出周期感应脉冲信号: 一、 变磁通式 开磁路变磁通式转速传感器 式中,Z—齿轮的齿数;n—转速(r/min); f—感应脉冲信号频率 f=Zn/60 特点:结构简单、但输出信号小,高速轴上加装齿轮较危险,当被测轴振动比较大时,传感器输出波形失真较大。 在振动强的场合往往采用闭磁路式转速传感器。   结构:由转子、定子、环形永久磁铁、线圈等元件组成。 f=Zn/60 式中, Z—齿轮的齿数; n—转速(r/min); f—感应脉冲信号频率 原理:磁阻变化 线圈产生感应电动势 输出周期感应脉冲信号 闭磁路变磁通式转速传感器 可测速度,如果接一个积分或微分电路也可用来测量位移和加速度 二、 恒磁通式 结构:磁路系统 、线圈。 图7-1 恒磁通磁电式传感器结构原理图 (a)动圈式;(b)动铁式 原理:线圈与磁场相对运动(动圈式/动铁式)v 感应 电动势e 2.振动测量 工作频率 10~500?Hz 最大可测加速度 5g 精度 ≤10% 固有频率 12?Hz 可测振幅范围 0.1~1000 外形尺寸 45mm×160?mm 灵敏度 604?mV·s·cm-1 工作线圈内阻 1.9 质量 0.7?kg 1、8—圆形弹簧片;2—圆环形阻尼器;3—永久磁铁;4—铝架;5—心轴;6—工作线圈;7—壳体;9—引线 三、 磁电感应式传感器的应用 1.转速测量 3.扭矩测量 当转轴不受扭矩时,两线圈输出信号相同,相位差为零。当被测轴感受扭矩时,轴的两端产生扭转角,因此两个传感器输出的两个感应电动势将因扭矩而有附加相位差 。扭转角 与感应电动势相位差的关系为: 式中:z为传感器定子、转子的齿数。 7.2 霍尔式传感器 工作原理:是基于霍尔效应而将被测量转换成电动势输出的一种传感器。霍尔器件是一种磁传感器。 特点:霍尔传感器具有体积小、无触点、可靠性高、使用寿命长、频率相应宽、易于集成化和微型化。 应用:霍尔传感器是全球排名第三的传感器产品,它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机、电机以及新兴消费电子领域。 磁场 电压UH 翻盖或滑盖手机中的应用 用来检测手机盖翻开或是滑动的器件就是霍尔传感器 在滑盖手机中,在上盖对应的位置有一个磁铁,霍尔传感器就在磁铁对应的主板正面或反面,用磁铁来控制霍尔传感器信号的输出。 当合上滑盖时,传感器输出低电平作为中断信号到CPU,强制手机退出正在运行的程序; 当打开滑盖时,传感器输出高电平,手机解锁,接通正在打入的电话。 把一块金属或半导体簿片垂直放在磁感应强度为B的磁场中,沿着垂直于磁场的方向通以电流I,就会在薄片的另一对侧面间产生电动势UH,这种现象称为霍尔效应。 所产生的电动势称为霍尔电动势,这种薄片(一般为半导体)称为霍尔片或霍尔元件。 霍尔效应原理图 7.2.1 霍尔效应及霍尔元件 1.霍尔效应 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片A、B方向的端面之间建立起霍尔电势。 A B C D 在磁场B中运动的电子将受到洛伦兹力fL:fL=evB 建立的电场EH对随后的运动电子施加一电场力fE: 平衡时,fL=fE,即: evB= eUH /b 由于电流密度J=-nev,则电流强度为I=-nevbd 所以得到:

文档评论(0)

liwenhua11 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档