臧淼杂质半导体及pn结的形成.doc

2013年北京市属高校“创想杯”微课程大奖赛 教学设计 授 课 人：臧淼 讲课内容：杂质半导体及PN结的形成 课程名称：模拟电子技术—工学类 课程所属专业：电子与信息处理 课程适用对象：电子类专业二年级本科生 2013年12月 一、教学背景 1、课程简介 “模拟电子技术课程”是电子信息类专业的专业基础必修课，主要研究半导体器件的性能、参数，模拟电子线路的基本原理、分析方法及其计算，培养学生运用近似模型和工程估算的方法，从工程的角度分析和思考问题的能力，从而使学生具有一定的分析电子电路的能力和简单的电子电路设计能力。 2、本课程教学中存在的问题 本课程是学生普遍感觉难学的课程之一。难学的原因有二： 一是该课程往往从工程的角度分析问题，普遍采用近似模型和工程估算的方法电路课程采用理想模型和严格计算的方法，教学内容 教学意图 时间 本征半导体的导电特性 回顾本征半导体导电特性，同时为杂质半导体的导入埋下伏笔，让学生形成将二者对比学习的方法。 1分钟 提问：用本征半导体制作的电子器件存在什么问题？ 以手机为例举例说明本征半导体在实际应用中的缺陷。 改进方法：本征半导体中掺入某些微量元素----杂质半导体N型半导体和P型半导体 承上引入杂质半导体 1分钟 (自由电子 本征激发(自由电子、空穴对 提问：在杂质半导体中自由电子和空穴数目是否相等？谁多谁少？ （1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素多余一个电子很容易挣脱原子核的束缚成为自由电子。本征激发会产生少量的自由电子和空穴对。 图1 N型半导体的结构特点 N型半导体中，自由电子数目多于空穴数目，我们称自由电子为多数载流子，简称多子；称空穴为少数载流子，简称少子。 通过演示N型半导体形成过程，引导学生自行发现其中载流子的特点 并与本征半导体做对比。“对比”学习。引入多子和少子的概念 分钟 (空穴 本征激发(自由电子空穴对 提问： （2）P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素多出一个空位（电中性）。由于热运动会在新的位置产生一个空穴。本征激发会产生少量的自由电子和空穴对。 P型半导体中，多子是空穴，少子是自由电子。 1分钟 命名：P（Positive），空穴带正电；N（Negative），自由电子带负电。可见，P型半导体和N型半导体是根据多子的电荷性来命名的。“联想记忆” 分钟 课堂练习：（3）杂质对半导体导电性的影响 a. 杂质半导体　多子　掺入杂质越多，多子浓度越 　 强 　当温度升高时，多子的数量 基本不变 ，少子的数量　增多　。 结论：掺入杂质对半导体的导电性有很大的影响。 a. 无论是N型还是P型半导体，起导电作用的主要是多子。. 多子受温度影响小，杂质半导体的温度稳定性好；少子对温度敏感，它会影响半导体器件的性能。 图3　NPN晶体管MMBT3904部分器件参数 说明：由于半导体器件的性能参数具有对温度的敏感性，在电子电路的定量分析中容许存在一定的误差范围，即近似估算。 启发学生利用已学知识点自行归纳出杂质对半导体导电性的影响。培养学生推理、分析问题的能力。 6分钟 提问：当N型半导体和P型半导体制作在一起时会产生什么现象？布置思考 4）PN结的形成 图4　PN结的形成 交界面两侧载流子浓度差异( 多子扩散(复合(空间电荷区（耗尽层） 空间电荷区(内电场(阻碍多子扩散，有利于少子漂移(空间电荷区变窄 思考：空间电荷区宽宽窄窄的变化过程中，什么时候得以稳定呢？ 引入PN结的形成过程引入多子的扩散运动引入少子的漂移运动 5分钟 展现PN结在常用电子器件中的应用，说明其内部结构中都存在PN结。 图5常用电子器件中的PN结 PN结究竟有何本领能够在电子技术领域中广泛应用呢？这就是PN结的单向导电性。 承上启下，引起学生进一步学习的兴趣 1分钟 图6 课程内容总结方框图 布置作业 1、思考：将PN结的两端分别连接成以下电路，PN结的宽度是否会改变？如果会，将如何改变？ 图 2、资料调研：了解电子器件材料发展的前沿 应用本节课知识和电路知识分析问题，同时将本节课内容与下节课内容相关联，为PN结单向导电性的讲解埋下伏笔。 通过资料调研培养学生发掘、搜集、梳理有关信息的能力 分钟 教学启发式教学使学生电子技术知识的学生虽然学的多是间接知识，但在教学过程中有新发现的感觉，教学