激光器件第10章半导体激光器的工作原理.ppt

10.1.1 半导体的能带结构　　半导体晶体中的电子状态不同于独立原子中的电子状态，但两者之间必然存在着联系。 　 　　在几何空间中半导体的能带表示如图10.1所示。　在K(动量)空间中，或者说在能量(E)与动量(K)的坐标系中，半导体的能带表示如图10.2所示。 10.1.2 电子在能带之间的跃迁　　半导体中的载流子处于复杂的动态过程，主要包括带间跃迁、能带与杂质能级之间跃迁、带内松弛、带内光吸收等。　　1. 带间跃迁产生的几种效应 　　2. 带间跃迁几率 　　2. 非辐射复合　　 非辐射复合是载流子复合时以放出声子的形式来释放所产生的能量。 　　有两种重要的带间俄歇复合，即CCHC和CHHS，如图10.5所示。 10.1.4 PN结的能带结构　　当P型半导体和N型半导体相互接触时，在其交接面处便形成PN结。　　1. 同质PN结的能带结构　　在一块半导体晶体中掺入施主杂质，形成N型半导体。在平衡状态下，由于载流子浓度梯度存在，P区和N区费米能级最终达到相同的水平，形成平衡状态的同质PN结能带结构，如图10.6所示。 　　式中EV1为P-GaAs材料的价带顶能级，EC2为N-AlGaAs材料的导带底能级。两种材料形成PN异质结后处于平衡状态，具有相同的费米能级EF，真空能级必须连续并且平行于能带边缘，如图10.7(b)所示为突变PN异质结的能带结构。 　　P-GaAs/N-AlGaAs异质结在正向偏压和反向偏压下的能带结构，如图10.8所示。 　　N区一侧的导带尖峰超过P区一侧的导带底，PN结中电子势垒比空穴势垒低，来自宽带隙N型半导体的电子流起支配作用。外加电压VA为零时，由N→P越过势垒eVDN的电子流与反方向由P→N越过势垒ΔEC-eVDP的电子流相等。加正向偏压VA后，如图10.8(a)所示，两个方向的电子流不相等，净电子流密度与VA呈现指数关系，如图10.9所示。 　　2) 突变同型异质结的能带结构　　 和异型异质结不同，NN结和PP结的性质是由多数载流子决定的。当形成NN结后，由于电子由N-AlGaAs一侧流向N-GaAs一侧，使两侧的费米能级相等EF，处于平衡状态。这时在N-GaAs一侧形成电子积累层，在N-AlGaAs一侧形成耗尽层，构成了空间电荷区。 10.2.1 半导体激光器的粒子数反转分布条件　　半导体中的电子依照由费米分布函数表示的统计规律而分布在价带和导带之间的不同能态上，这是电子的正常分布。 　　设半导体有源区辐射场单色能量密度为ρ(υ)，在ρ(υ)的作用下，价带电子在光子hυ的作用下由价带向导带跃迁电子受激吸收跃迁速率为　　　　　r12=B12fvρvρc(1-fc)ρ(υ) 　　　　(10-20)　其中B12为受激吸收跃迁几率，fv、fc分别是电子占据价带、导带能级的几率。而电子从导带向价带的受激辐射跃迁速率为　　　　　　r21=B21fcρvρc(1-fv)ρ(υ) 　　　(10-21) 　　其中B21为受激辐射跃迁几率。同时电子从导带至价带的自发辐射速率为　　　　　　rsp=A21fcρvρc(1-fv) 　　　　　　(10-22)　由爱因斯坦关系有B21=B12，如果忽略LD中本来很小的rsp，则要得到净的受激辐射必须有　　　　　　　　　r=r21-r120 　　　　　　(10-23)代入r21、r12，则有　　　　　　　　　　fcfv　　　　　　　(10-24) 　　即要产生净的受激辐射，必须使电子在导带的占据几率大于在价带的占据几率。代入费米分布函数，并考虑到EC-EV=hυ，则有　　　　　　　ECF-EVFhυ=Eg 　　　(10-25) 　　由图10.11还可看到，由于重空穴价带的有效质量大，态密度高，价带内参与受激辐射的能级很少为空穴占据，表现在衡量空穴分布的准费米能级处于价带顶上。为满足伯纳德-杜拉福格条件，势必要提高注入载流子浓度，这样会使LD的阈值电流增大。PN结正向偏压需满足　　　　　　　　ECF-EVF=eVEg 　　　(10-26) 　　如果依照能带工程设计出如图10.12所示的能带结构，使价带的有效质量与导带的相近，则可以使阈值载流子浓度减少一半以上。 　　其中n为介质的折射率，Γ为模场限制因子。式中已包含了粒子数反转条件。只有当fcfv，增益才为正值，因此增益系数并非有源介质本身的属性，而与LD的注入电流密度或注入载流子浓度相关。增益系数gp可表示为　　　　　　　　gp=a(N-N0)　　　　　(10-28)  或　　　　　　　　　gp=A(J-J0) 　　　　　(10-29) 10