56半导体物理基础电子教案.docVIP

第5,6学时 授课题目（教学章节或主题）：半导体物理基础。 本授课单元教学目标或要求： 掌握半导体特性、载流子的运动、PN结以及三种光电效应；了解能带理论、PN结的三种接触方式。 本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生解决重点难点的方法、例题等）： * 基本内容： 引入： 光电器件：半导体制作而成。理论基础很重要，有助于深入理解其原理及灵活运用。 关于半导体的物理基础，许多专门著作都有系统的论述。这里仅介绍与光电器件有关的半导体物理基础知识。 自然界中的物质：气体、液体或固体。这里主要是讨论可以制作光电器件的固体半导体材料。 固体： 按其原子排列，可以分成晶体与非晶体两类； 按导电能力，则可分成导体、绝缘体和半导体三种。 导体：l0-6一10-3Ω·cm范围内的物质称为 (如银、铜、铝、铁等金属)； 绝缘体：电阻率在1012Ω·cm以上的物质称为 (如塑料、陶瓷、橡皮、石英玻璃等)； 半导体：电阻率介于导体和绝缘体之间的物质。 它们三者之间虽然在电阻率的区分上无绝对明确的界限，但在性质上却有极大的差别。由于半导体具有许多特殊的性质，因而在电子工业与光电工业等方面占有极其重要的地位。 （一）半导体的特性 1、电阻温度系数一般都是负的，对温度的变化十分敏感； 衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1°C时电阻值发生变化的百分数。如果设任一电阻元件在温度t1时的电阻值为R1，当温度升高到t2时电阻值为R2，则该电阻在t1 ~ t2温度范围内的(平均)温度系数为如果R2 R1，则 a 0，将R称为正温度系数电阻，即电阻值随着温度的升高而增大；如果R2 R1，则 a 0，将R称为负温度系数电阻，即电阻值随着温度的升高而减小。显然 a 的绝对值越大，表明电阻受温度的影响也越大。温度低时，的载流子（电子和空穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件。 　　所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。 　　这些金属氧化物材料都具有半导体性质， 　　NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10Ω~1000000Ω，温度系数-2%~-6.5%。 　　NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。2、导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化； 如纯硅在室温下的电导率为5×10-6Ω-1·cm-1，当掺入硅原子数的百万分之一的杂质时；其纯度虽仍高达99．9999％，但电导率却上升至2Ω-1·cm-1，几乎增加了一百万倍！此外，随着所掺入的杂质的种类不同，可以得到相反导电类型的半导体。如在硅中掺入硼，可得到P型半导体；掺入锑可得到N型半导体。 3、导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界总有的影响而发生非常重要的变化。 例如沉积在绝缘基板上的硫化镉层不受光照时的阻抗可高达几十甚至几百兆欧，但一旦受到光照，电阻就会下降到几十千欧，甚至更小。 常见的半导体材料有硅、锗、硒等元素半导体，砷化镓(GaAs)、铝砷化镓(Ga1-xAlxAs)、锑化姻(InSb)、硫化镉(CdS)和硫化铅(PbS)等化合物半导体，还有如氧化亚铜的氧化物半导体，如砷化镓—磷化镓固熔体半导体，以及有机半导体、玻璃半导体、稀土半导体等等。利用半导体的特殊性质，制成了热敏器件、光电器件、场效应器件、体效应器件、霍耳器件、红外接收器件、电荷稠合器件、摄象管及各种二极管、三极管、集成电路等半导体器件。下面将重点介绍有关光电器件。 为了解释固体材料的不同导电特性，人们从电子能级的概念出发引入了能带理论。它是半导体物理的理论基础，应用能带理论可以解释发生在半导体中的各种物理现象和各种半导体器件的工作原理。 二、能带理论 1、原子中电子的能级 大家知道，原子是由一个带正电的原子核与一些带负电的电子所组成。这些电子环绕着原子核在各自的轨道上不停地运动着。根据量子论，电子运动有下面三个重要特点： (1)电子绕核运动，具有完全确定的能量，这种稳定的运动状态称为量子态。每一量子态所取的确定能量称为能级。图2-7是硅原子中电子绕核运动的轨道及与其相应的能级示意图。原子中14个电子分别有14种不同的量子态，分布在离原子核远近不同的三层轨道上。最里层的量子态，电子距原子核最近，受原子核束缚最强，能量最低。越外层的量子态，电子受原子核束缚越弱，能量越高。电子可以吸收能量从低能级跃迁到高能级上去。电子也可以在一定条件下放出能量重新落回到低能级上来。但不可能有介于各能级之间的量子态存