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第7页：北桥：DDR内存的走线密如蛛丝 ??? 北桥是信息的中转站。根据上文所说的功能，它有4个接口，分别是FSB ，DDR，AGP以及HUB-LINK。 ?北桥近照 ??? FSB是和CPU的接口，参见上文，这里不再多说。??? DDR是对内存的接口，现在的855GM/PM支持到266MHZ，这部分线路和FSB那边的连接将影响到主板的格局，因为他们都是高速的，大量的信号线的集合。在布线的时候最先考虑的就是它们。??? 如图是Intel建议的布线图，这里仅仅是DDR的信号线，并不包括地址线。 ?北桥到DDR的信号线 ??? 地址线则在另外一层，如下图： ?北桥到DDR的地址线 ??? 我们看到，这与数据线并不在同一层。而图中我们看到的Series Dampening resistors和Parallel Termination on both layers则是在DDR RAM那边特有的。其意思分别是串行衰减电阻和终端并行电阻。 第8页：衰减电阻和终端电阻之惑 ??? 我们先来解释一下串行衰减电阻和终端并行电阻。前者的意思是从北桥出发的每一根数据线，必须与一个电阻串联再到达DDR RAM部分。而后者的意思则是，在数据线到达DIMM1和DIMM2后，必须有一个在串联一个电阻后上拉到1.25V，也就是下图中的VTT。??? 具体的示意图： ?衰减电阻和终端电阻的示意图 ??? 其中的RS就是所谓的串行衰减电阻（Resister Serial），而RT则是终端电阻（Resister Termination），而SO_DIMM0 PAD则是指DIMM的PIN脚。至于什么是DIMM？Dual In line Memory Module，字面翻译就是双列内存模块。??? 那为什么需要终端电阻呢？在进入DDR时代，DDR内存对工作环境提出更高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象，就会对后面信号的影响从而造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。??? 由于每根数据线至少需要一个终结电阻，这意味着每块DDR主板需要大量的终结电阻，这也无形中增加了主板的生产成本,而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，也造成了所谓的“内存兼容性问题”。这点在DDR II上得到了比较完美的解决，我们在下面具体谈。 ?衰减电阻和终端电阻的实物图 ??? 上图中，蓝色框是北桥，红色框内是衰减电阻，而黄色框内则是终端电阻（看到框框边上一大块绿色的铜皮了吗？这是VTT 1.25V哦！）。我们看到，其走线的顺序也是跟上面示意图一致（从北桥经过衰减电阻到DIMM的PIN脚，然后接终端电阻到 ）。 VTT 第9页：北桥：DDR单/双通道区别到底在哪里？ ??? 而DDR SDRAM的接法有双通道和单通道之分。??? 相对于传统的单通道而言，双通道DDR 技术是一种新的内存控制技术，它和双通道RDRAM 技术非常相类似，是在现有的DDR 内存技术上，通过扩展内存子系统位宽使得内存子系统的带宽在频率不变的情况提高了一倍：即通过两个64bit 内存控制器来获得128bit 内存总线所达到的带宽。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然，这样的内存控制模式可以让等待时间缩减50%。??? 双通道技术显然需要北桥的支持，INTEL的855芯片组并不支持双通道DDR I，比较搞笑的是在CENTRIO平台的时候，VIA的一些芯片组能支持双通道内存技术而INTEL不能，呵呵。??? 下图是单通道DDR-I内存的示意图，左边的信号来自北桥。如果是双通道的话要加上另一组DDR与北桥的接口。双通道对于单通道来说能显著加快内存数据和CPU的交换速度，但是出于PCB布线的考虑，双通道明显增加了线的数目，增大了布线的难度，并由此产生的成本问题对企业来说更为敏感。 ?单通道DDR RAM的物理连接 ??? 这里也有RS和RTT，其意义和上文所说的串行衰减电阻和终端并行电阻一致。 第10页：转换思路 问题迎刃而解 DDR II的新创意 ??? 在最新的DDR II上，主板设计上已经取消了部分信号的衰减电阻和终端电阻，而将其集成于内存上。??? 我们称这DDR II的新特性为ODT功能，即On Die Terminator（内建终端电阻器）。当在DRAM模块工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的DRAM模块则进行终结操作，起到减少信号反射的作用（注：ODT的开启与禁止由北桥芯片控制，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS、DQ等等，可参考单通道DDR-I内存的示意图）。??? 这样可以产