第八章_半导体表面和MIS结构.pptVIP

* Vs /Qs/ p型半导体 n型半导体 * 根据以上的讨论，以下各区间的表面电势可以区分为： Vs0：空穴积累(能带向上弯曲)； Vs =0：平带情况； VBVs0：空穴耗尽(能带向下弯 曲)； Vs=VB：禁带中心，即ns＝np＝ni (本征浓度)； VsVB：反型(能带向下弯曲超过费 米能级)． * 积累 耗尽 反型 * 一、理想MIS结构的电容效应 Cs Ci 等效电路 MIS结构 §8.3 MIS结构的C-V特性Capacitance-voltage Characteristics of MIS Structure VG=Vs +Vi * 二、理想MIS电容器的C-V特性 * 1、VG0(多子积累)： （1）当|Vs|较大时，有C Ci 半导体从内部到表面可视为导通状态； C/Ci （2）当|Vs|较小时，有C/Ci1。 * 2、VG=0（平带状态) di 绝缘层厚度 特征：归一化电容与衬底掺杂浓度NA和绝缘层厚度di有关。 C/Ci 若di一定，NA越大，表面空间电荷层变薄， CFB/Ci增大； NA一定， di越大，Ci愈小，CFB/Ci增大； 根据上式，利用C-V曲线可得到di和NA（或ND)。 * 3、VG0(耗尽状态) * 4、VG= VT （强反型） A、低频时 * B、高频时 * 结 论： （1）半导体材料及绝缘层材料一定时，C-V特性将随di及NA而变化； （2）C-V特性与频率有关 * 三、实际MIS结构的C－V特性 1、金属与半导体功函数差Wms对MIS结构C-V特性的影响 * 平带电压 接触电势差Vms ：因功函数不同而产生的电势差。 ——为了恢复半导体表面平带状态，需外加一电压。此处VFB为负。 * 当WmWs时，将导致C-V特性向负栅压方向移动。 * 假设在SiO2中距离金属- SiO2界面x处有一层正电荷Q 2、绝缘层电荷对MIS结构C-V特性的影响 恢复平带的方法： 平带电压VFB * VFB CFB * * 实际MIS结构的C-V特性 VFB 意义：分析实验C-V曲线，监控集成电路生产制造工艺、以及对MIS晶体管可靠性物理及失效机理作基本分析 * 为什么要研究表面？ 1. 表面具有特殊性 2. 表面有损伤、氧化、沾污，影响稳定性 3. 表面需保护（钝化） 4. 表面是做器件的基础 1948 晶体管发明 1960’s 平面工艺（SiO2）集成电路 1970’s 钝化工艺提高? 可靠性提高 1980’s 新器件发明 第八章 半导体表面与MIS结构Semiconductor surface and metal-insulator- semiconductor structure * 1、表面电场效应 2、理想与非理想MIS结构的C-V特性 3、Si-SiO2系统的性质 4、表面电导 重点: * §8.1 表面态 一、表面态 悬挂键、晶格缺陷、吸附分子 硅表面STM扫描图象 * 二、半导体的表面结构 1 清洁表面（LEED、STM、UPS） 2 真实表面 3 介质-半导体系统 * §8.2 表面电场效应 MIS结构 理想MIS结构： （1）Wm=Ws； （2）绝缘层内无电荷,且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态。 * 一、 Si-SiO2系统的性质（Characteristics of Si-SiO2 System） * 1、可动离子 特点: 半径较小，带正电，具有热激活的特点。 如：Na+、K+、H+ 2、固定电荷 位于距Si-SiO2界面约30埃以内，主要是Si-SiO界面附近的过剩Si+。 氧化温度越低，固定正电荷密度越大 高温退火可降低固定正电荷密度 固定正电荷密度按晶体取向不同而不同 (111)(110)(100) * 3、界面态 存在于Si-SiO2界面离Si表面3-5埃内。 分为施主界面态和受主界面态。 4、陷阱电荷 特点：通常不带电。 * d x 0 +VG 二、空间电荷层及表面势 VG=0时,理想MIS结构的能带图 如果VG0: Ev1 Ec1 Ei Ev Ec EFs EFm * * * （1）表面电场分布Es 三、表面空间电荷层的电场、电势和电容 * * * （2）表面电荷分布Qs * （3）表面电容Cs * 讨论： * 1、多子积累 Qs Qm x