第一章new1.pptVIP

作业： 1.1，1.2，1.5 3稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 1.4.2 电流分配和放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IB’ 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB’ ，多数扩散到集电结。 1 载流子传输过程 B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IB’ 2 ICE IB=IB’-ICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IB’ 1.晶体管内部载流子的运动 图1.3.3 晶体管内部载流子运动与外部电流 外部条件 发射结正偏 集电结反偏 VCC＞VBB (1) 发射区自由电子向基区扩散 →射极电流(IE ) （2）自由电子在基区的扩散与复合 →基极电流(IB) （3）集电区收集基区的非平衡少子 →集电极电流(IC ) I NE I NC 由载流子的传输过程可知，由于电子在基区的复合，发射区注入到基区的电子并非全部到达集电极，管子制成后，复合所占的比例就定了。也就是由发射区注入的电子传输到集电结所占的百分比是一定的，这个百分比用α表示，称为共基极电流放大系数。 2 三极管内的电流分配关系 IC=Inc+ICBO IE=IB+IC IC=αIE+ICBO IB=IB’-ICBO IB’=(1-α)IE 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 3 三极管的放大作用 共基极放大电路 △Ui=20mv △IE ＝l mA IC=αIE 当α=0.98 时，ΔIC＝0．98mA ΔUO＝ΔIC RL＝0．98mA×lKΩ＝0.98V 三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电区而实现的。 为了保证这一个传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。 三极管内各个电流之间有确定的分配关系，所以只要输入电流(IE) 给定了，输出电流(IC)和输出电压便基本确定了。 输入信号ΔUi 是首先 通过发射极的电压变化改变输入电流IE的，再利用IE 的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参数就是电流放大系数α。 4. 共射极连接方式 设α＝0.98，当ΔUi 变化20 mV时，能引起基极电流的变化ΔIB =20μA ΔIC＝αΔIE=0.98×1mA=0.98mA ΔUC=-ΔICRL=-0.98×1KΩ=-0.98V 从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两种电路的基本区别是： 共射极电路以基极电流IB作为输入控制电流 共基极电路是以发射极电流IE作为输入控制电流。 用IB 作为输入控制电流的好处是信号源消耗的功率很小。 对于共射极电路，研究其放大过程主要是分析集电极电流(输出电流)与基极电 流(输入电流)之间的关系。 共射极和共基极的接法不同。但它们放大信号的物理本质是相同的。 通过共基极电流放大系数α来导出表征三极管在共射极接法时放大能力的电流放大系数(以β表示) 。 共射极电路不但能得到电压放大，而且还可得到电流放大，所以共射极电路是目前应用最广泛的一种组态 发射区每向基区供给一个复合用的载流子，就要向集电区供给多个载流子 1.4.3 特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。 由于三极管和二极管一样也是非线性元件，不能用一个固定的数值或一个简单的方程式来表示各电极电压与电流之间的关系