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Process SubsystemRF/Microwave Power Systems射频及微波系統 大綱 透過了解射頻與微波系統的組成 相關元件--產生器,匹配器 了解電漿於晶圓製程中的應用原理 包括乾式蝕刻,去光阻,化學汽相沉積,即時植入(in-situ)與遠端(remote)微波清潔 大綱 安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency) 微波系統 Microwave 課程大綱 安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency) 射頻元件與應用 射頻產生器的安全連鎖裝置(Interlocks) 微波系統 Microwave 微波元件與應用 安全 安全第一 課程大綱 安全 電漿與晶圓製程 射頻系統 (Radio Frequency) 射頻元件與應用 射頻產生器的安全連鎖裝置(Interlocks) 微波系統 Microwave 微波元件與應用 本節目的 了解電漿與晶圓製造的關係 電漿 晶圓製造的運用 蝕刻製程 化學氣相沉積 去光阻(Ashing / Stripping) 物理氣相沉積 離子植入 了解如何產生電漿 直流式電漿 DC Bias voltage. 交流式電漿 什麼是電漿 What is a Plasma ? 電漿的定義 所謂電漿是指部分離子化的正負電荷與氣體分子並存的狀態(離子密度如何?) 電漿中包括 中性原子 負電荷 ( 電子 ) 正電荷 ( 離子) 具有活性的自由基 因為能量而不斷發生的碰撞 電漿的產生 反應室充滿氣體與適當壓力之下 剛開始只有少數的游離電子 提供電場,離子化與碰撞開始發生 提供電場之後,電子會被加速,同時與中性粒子發生碰撞,產生離子化 電漿中的碰撞 適當壓力與能量下,星火燎原的連鎖反應 產生一團光熱的雲狀物質 輔以電場或磁場設計以維持電漿的發生 反應室充滿氣體與適當壓力之下 提供電場,離子化與碰撞開始發生 電漿中的碰撞 彈性碰撞與非彈性碰撞 所謂彈性碰撞是指沒有能量交換或轉移的碰撞 非彈碰的三種類型 離子化Ionization, 激發 Excitation- relaxation 解離 dissociation 離子化 當電子離開原子或分子表面,形成離子 解離 解離指的是分子在碰撞或者能量的供給下,結構上的拆解,成為離子團或原子。 直流式偏壓 氣體分子中游離的電子受到射頻的電壓場影響 晶圓表面形成負電場壓,這是因為電子的遷移速度比離子還快是一種自我調節的現象 直流式偏壓 使用在平衡用機制:機械或電場 離子轟擊 電子移動的比離子快 帶負電的電子,同性相斥,異性相吸 電壓差形成的電場會造成離子轟擊 離子轟擊是一項基本的動力 電漿與 CVD 製程 許多CVD製程不需要使用電漿 使用電漿的目的在降低反應室的化學反應所需要溫度 比如電漿增強化學汽相沉積 (PECVD )可以在較低的溫度達到相對高的沉積速率,同時因為製程對溫度的敏感度要考慮在內 使用電漿作為清潔製程的氟離子或其他類似清潔用氣體的方式 高密度電漿 (HDP)則是使用在介電質的沉積過程 離子轟擊的強弱也作為薄膜強度的控制 典型的CVD 反應室 CVD 反應室的直流偏壓電漿 電漿與蝕刻製程 使用電漿以產生蝕刻所需 之離子 提高蝕刻的速率 理想的非等向性蝕刻控制 典型的蝕刻製程反應室 乾式蝕刻必須要進行控制 蝕刻製程示意圖 蝕刻製程的直流偏壓示意圖 控制蝕刻的方向性 控制蝕刻的方向性首在控制離子轟擊的方向性及強度 透過電漿與陰極基座的電壓差來調控 關鍵因素 反應室壓力 電場強度 反應室條件 使用在蝕刻反應的電漿型式 乾式化學蝕刻 透過具有化學反應能力的離子團進行蝕刻 濺鍍式蝕刻 透過離子轟擊的物理反應 具有上述二者特性的反應式離子蝕刻 (RIE) 電漿中電子的移動 電場的震盪頻率是 13.56 MHz 磁場通常會設計垂直於電場方向 二次電子會侷限在陰極底座附近 典型的磁場設計 典型的磁場設計 典型的磁場設計 電漿與去光阻製程 去光阻的製程是因為在蝕刻製程之後要移除作為蝕刻罩幕用的光阻材料 光阻是由有機高分子材料組成,透過氧氣與有機物的結合,進行材料移除( “ashed”) 反應的副產品有COx透過抽氣系統來排除之 避免晶圓表面的傷害, 電漿並不會在反應室中形成,而是在氣體管件中形成( “applicator”) 晶圓表面保持為接地電位 去光阻 電漿與清潔製程 In-situ 反應室清潔製程 遠端清潔製程 高密度電漿提供較多的分子解離 遠端 upstream 含氟電漿產生 99% free F radicals formation with NF3 as a source