第十四章 薄膜淀积.pptVIP

薄膜淀积 热氧化 生长机制 硅热氧化的基本模型 薄氧化膜生长 介质淀积 二氧化硅－淀积法 二氧化硅－特性 二氧化硅－台阶覆盖 二氧化硅－磷硅玻璃回流 氮化硅 低介电常数材料－Low K 低介电常数材料 高介电参数材料－High K 高介电常数材料 多晶硅淀积 金属化 物理气相沉积－PVD 化学气相沉积－CVD 铝镀膜 电迁移 铜镀膜 嵌入技术 使用双层嵌入法作铜导线的工艺顺序 化学机械抛光-CMP 金属硅化物 1.1-2.0 干燥凝胶（多孔二氧化硅） 2.1 氟化无定形碳 2.6 PAE（聚芳香醚） 2.7 SiLK（芳香族碳氢聚合物） 旋转涂布聚合物 2.7-2.9 聚酰亚胺 2.8-3.0 HSQ/MSQ 1.93 特氟隆－AF（聚四氟乙烯） 2.0-2.4 氟化碳氢化合物 2.7-3.0 黑金刚石（掺碳氧化物） 2.4-2.5 聚对二甲苯氟 2.6 聚对二甲苯氮 3.5-4.0 氟硅玻璃（FSG） 气相淀积聚合物 介电常数 材料 分类 High K在ULSI器件电路中，尤其是DRAM有使用的必要性。DRAM的存储电容必须维持在40fF左右才能正常工作。一般会选择一个最小厚度，且保证漏电流不超过最大容许值，而击穿电压则不低于最小容许值。电容的面积可通过堆叠或沟槽的方式增加。然而对平面而言，面积A应水DRAM密度的提升而降低，因此必须提供薄膜的介电常数。 1000 Pb（Zr0.47Ti0.53）O3（PZT） 钛酸盐类掺杂稀土金属 1000-2000 Pb（Mg1/3Nb2/3）O3（PMN） 800-1000 （Pb1-xLax）（Zr1-yTiy）O3（PLZT） 300 Ba（Ti1-xZrx）O3（BZT） 300-500 （Ba1-xSrx）TiO3（BST） 140 SrTiO3（STO） 钛酸盐类掺杂碱土金属 7 Si2N4 17 Y2O3 40 TiO2 25 Ta2O5 两种成分材料 介电常数 材料 分类 以多晶硅作为MOS器件的栅极是MOS技术的一项重大发展，其原因是多晶硅栅极的可靠性优于铝电极。 用低压反应炉淀积多晶硅的温度范围在600-650℃ 。 一般最常用的低压淀积方法有两种： 一种是压强约为25-130Pa，使用完全纯度的硅烷作为反应气体。 另一种是利用氮气作为稀释硅烷的气体，浓度控制在20-30%。 两种方法每次可淀积数百片的晶片，且厚度均匀（误差5%内）。 硅烷分压对多晶硅淀积速率的影响 影响多晶硅结构的工艺参数包括：淀积温度、杂质掺杂以及淀积后的热处理工艺。淀积温度在600-650℃，所得多晶硅为圆柱形，晶粒大小在0.03-0.3μm，择优取向为(110)。在950 ℃掺杂磷，结晶性变好，晶粒大小在0.5-1.0μm.若温度在1050℃，晶粒达1-3μm。若淀积温度低于600℃，则淀积的薄膜为非晶，经掺杂与热处理后，可获得如图多晶硅一样的柱状晶粒。 多晶硅可由多种方式掺杂：扩散法、离子注入法或是在淀积过程中加入额外的杂质（临场掺杂）。离子注入最常用，在于工艺温度低。 30keV能量的离子注入500nm的多晶硅中， 薄层电阻与不同注入剂量的关系 金属化是指用于互连、欧姆接触、金属-半导体整流接触的金属膜的形成过程。5.1节中讨论过欧姆接触及整流接触的电流-电压特性。金属膜可用多种方法形成，最重要的是物理气相淀积法和化学气相淀积法。将讨论两类最重要的金属：铝、铜及金属硅化物。这些金属广泛用于分立器件及集成电路。 PVD淀积金属的方法有：蒸发、电子束蒸发、等离子体喷射淀积及溅射。金属或合金（Ti、Al、Cu、TiN、TaN）均可利用PVD法淀积获得。 a、金属线圈加热器 b、氮化硼刚刚感应加热器 c、电子数蒸发 衬底 靶 标准溅射 离子束溅射 溅射中，离子源被加速撞击靶材的表面， 溅射出的材料淀积于一面对靶材的晶片 上。离子源的电流与能量可独立调整。 增加溅射的淀积速率可采用提高离子密 度，可使用的方法有：一是使用第三个 电极以提供更多的电子来促进电离；二 是使用磁场。如电子回旋共振。 衬底 靶 长程溅射 长程溅射可用来控制靶材物质入射至晶片的角度。从简易的几何学可知此时入射原子角度的分布较小，如此一来，对大高宽比（如在接触窗底部）形状的薄膜淀积也变得简单。 衬底 靶 具有准直器的溅射 准直器 在大高宽比的接触窗内填充材料的难度很高，因为在接触窗底部尚未完成淀积时，由于溅射出原子的散射效应已经先将接触窗口封住了，可通过在靶材与晶片之间加入一准直器，以控制溅射出原子入射到晶片的角度在5°以内，从而改善接触窗底部的覆盖率。 在金属化工艺中，CVD是最具吸引力的，因为CVD能形成良好的共形台阶覆盖层，而且一次可同时覆盖许多晶片。CVD的装置与淀积介电膜和多晶硅膜的装置相似。低压CVD在