第15讲JFET管放大电路以及各种放大电路比较.pptVIP

工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 P251 5.3.4 P251： 　5.3.5 * 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0， vDS=0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 ? ? 沟道变窄。 　vGS继续减小，沟道继续变窄。沟道电阻增大。 　　vGS进一步减小到VP时，两侧耗尽层在中间合拢，沟道全部夹断，沟道电阻趋于无穷大。 　　上述分析表明：改变vGS的大小，可以 有效控制沟道电阻的大小。若在漏源极间 加上固定的正向电压vDS ，则由漏极流向 源极的电流iD将受vGS的控制， vGS减小时 ， 沟道电阻增大， iD减小。 vGS减小到VP ， iD趋于零，管子截止。 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。但比MOSFET的输入　电阻低。 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 ① Ⅰ区为截止区（夹断区） 　此时，vGS VP0 ， iD ＝0。 ② Ⅱ区为可变电阻区（线性区） 此时，VPvGS ≤0 ， vDS≤vGS－ VP ③ Ⅲ区为饱和区（放大区） 此时，VPvGS ≤0 ， vDSvGS－ VP 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 则 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 vGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ vGS＞0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ vGS＜0才工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 很高 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 .1 各种FET的特性及使用注意事项 1. 各种FET的特性比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 .1 各种FET的特性及使用注意事项 2. 使用注意事项 在MOS管中，管子有四个管脚（衬底），有时电路中将源极和衬底连接在一起。或者P衬底接低电位，N衬底接高电位。 JFET的栅源电压不能接反，但可以在开路状态下保存。而MOSFET由于栅极－衬底之间的电容量很小，只有少量的的感应电荷就可以产生很高的电压，因此，无论在存放还是在工作电路之中，都应在栅极－源极之间提供直流通路或加双向稳压对管保护，避免栅极悬空。 焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，最好断电后再焊接。 FET通常制成漏极和源极可以互换，但有些产品出厂时已将源极和衬底连在一起，这时源极和漏极不能对调。 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD