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气相沉积纳米结构超硬薄膜 金属基复合材料国家重点实验室 一、气相沉积技术简介 二、硬质薄膜 三、纳米多层膜 四、纳米晶复合膜 一、气相沉积技术简介 气相沉积：采用气体原料在固体材料表面沉积 从而形成薄膜或涂层的材料制备方 法 薄膜： 从一开始就以原子、分子及其团簇在 固体表面生长所形成的二维材料 1.1 化学气相沉积（CVD） 气体原料通过化学反应形成新物质并沉积于基片表面的薄膜制备方法 例如： 1.2 物理气相沉积（PVD） 将固体原料通过物理方法形成气相后沉积于基片上的薄膜制备方法 蒸发镀膜 PVD主要分为 溅射镀膜 离子镀膜 二、硬质薄膜 基本力学性能——硬度与模量 高温性能——红硬度与抗氧化性 结合力与内应力 耐磨与减摩 本征硬质薄膜：金刚石、CBN、B4C、C3N4 (C-N-B-Si系) 多元硬质薄膜：过渡族金属的碳化物、氮化 物和氧化物，如Ti-Al-N、 Cr-Al-N、Ti-N-C、Ti-Al-N-C 纳米多层膜 纳米晶复合膜 CVD、PCVD 溅射、离子镀、离子束辅助沉积、离子束增强 沉积等多种PVD工艺方法 三、纳米多层膜 3.1 强化现象 模量差理论 交变应力场理论 Hall-Petch理论 两种材料的剪切模量差较大 两调制层足够薄 调制界面清晰，成分混合区窄 两调制层形成共格外延生长 V/Ti、TiN/TiB2、ZrN/TiB2 fcc-TiN/hcp-TiB2 四、纳米晶复合膜 1999年，德国学者Veprek报道了在Ti-Si-N纳米晶复合膜中获得了80-105GPa的超高硬度，高于金刚石薄膜（75-90GPa），令人惊讶并引起竞相研究。 Veprek模型： 不溶于TiN的Si3N4润湿于TiN晶粒表面并阻 止其生长，复合膜形成非晶Si3N4（厚度1nm） 包裹TiN纳米晶（晶粒直径10nm）的微结构， 写为n-TiN/a-Si3N4。 TiN纳米晶内无位错的增殖与移动，Si3N4界 面相很窄，裂纹无法扩展，薄膜得到强化。 尽管无人能重复Veprek的结果（105GPa）， 但已在许多材料体系获得40GPa以上的高硬度， 如：V-Si-N、W-Si-N、Ti-Al-Si-N、Nb-Si-N、 Zr-Cu-N、Ti-Cu-N、Al-Cu-N、Zr-Ni-N、Y-Ni-N 等。 Ti-Si-N复合膜和TiN/Si3N4多层膜的对比研 究表明：Ti-Si-N复合膜中的Si3N4界面相为晶体 态。因而，纳米晶复合膜可能与纳米多层膜有着 相同的强化机制。 TiN/Si3N4纳米多层膜 纳米晶复合膜中Si3N4界面相在厚度小于1nm 时产生晶化并与TiN晶体形成共格界面是其产生高 硬度的微结构原因，而TiN晶粒尺寸在10~50nm范 围内对薄膜强化作用明显。 实验室论文成果展示 2002年： LiGeyang, Han Zenghu, Tian Jiawan, Xu Junhua, Gu Mingyuan, Alternating stress field and superhardness effect in TiN/NbN superlattice films, J. Vac. Sci. Technol. A20(3) May/Jun 2002:674~677; Zenghu Han, Geyang Li, Jiawan Tian, Mingyuan Gu, Microstructure and mechanical properties of boron carbide thin films, Materials Letters 57(2002):899~903; Xiaojiang Yu, Qianxi Lai, Geyang Li, Junhua Xu, Mingyuan Gu, Mechanical properties and wear resistance of TaN