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2018-05-05 发布于浙江
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官方说明书ROHM RYU002N05 说明书.pdf

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官方说明书ROHM RYU002N05 说明书

Data Sheet 0.9V Drive Nch MOSFET RYU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(UMT3). (2) (1) 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol : QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T306 Basic ordering unit (pieces) 3000 RYU002N05  Absolute maximum ratings (Ta = 25C) (2) (1) Parameter Symbol Limits Unit (1) SOURCE (2) GATE Drain-source voltage VDSS 50 V (3) DRAIN Gate-source voltage VGSS 8 V Continuous ID 200 mA Drain current *1 Pulsed IDP *1 800 mA Source current Continuous IS 150 mA