BALT1XGTSRLTXGTTILT1YGTSNLTYGTOLT3GT系统介质瓷的制备与性能研究.pdfVIP

中文摘要 本课题通过对国内外最新研究成果的分析，确定了研究的方向和研究目的。 本论文意在研究Ba|．xSr。TiI-ySn，03系统介质材料，通过对掺杂离子和制备方法 的工艺参数分析，探讨了其对材料介电性能的影响，从中得到高介电常数、低 损耗、低变化率的介质材料。 LCRMeter 采用SEM观察了试样的微观形貌，利用YY2811型Automatic 4425在1KHz下对试样介电性能进行了测试。对试样的体积密度、电阻率等性 能也进行了测试。 损耗，降低介电系数变化率。实验结果表明，(一)随锶离子含量的增加，介电常 数(力、介电损耗(辔国和介电温度变化率(ae／c)均减小，击穿场强增加。(--)随锡 离子含量的增加试样的介电常数．温度曲线变得很平缓，渐渐的成为一条接近与 x轴平行的直线；介质损耗先增大后减小；介电常数变化率逐渐减小，确定主 痢辔砌是先减小后增大；介电．温度曲线渐渐地趋于平缓；击穿电压有所提高。 (四)随Nb”掺杂量的增加，逝渐的减小，辔跣减小后增大；介电．温度曲线有 减缓的趋势；居里温度移向负温。当Nb205的含量为0．8m01％时，沩3689．54， 加入居里峰被明显的降低并展宽，介电常数．温度变化曲线为一条近乎与X轴平 行的直线。MgO的加入对改变试样居里温度的效果不明显。MgO的较优含量 居里温度为．15℃，直流击穿场强为7．6Kv／mm。(六)随ZnO含量的增加，就增 大后减小，tgSCf：减小后增大，居里温度移向负温，ZnO含量的变化对于试样的 介电温度变化率影响不大。ZnO的较优含量为1．0wt％，此时试样的沩5142．42， tgSY可0．0018，介电常数温度变化率为14％，居里温度为．16。C，直流击穿场强为 7．9Kv／mm。(七)讨论了烧结温度和保温时间等对试样介电性能的影响，实验确 定了最佳的烧结温度和保温时间。 关键词： 钛酸锶钡氧化锡氧化钇五氧化二铌氧化镁氧化锌介电性能 ABSTRACT decidedafter of Research anddirectionwere analyzingdevelopment purpose at researchresultsat homeandoverseas．Theaimed paper studying material．Theinfluencesondielectric Bal．xSrxTi dielectric l．ySny03system materialdiscussed technics of characteristicsof were throughanalyzingparameters andions kindof dielectricmaterialhasbeen preparingprocess doped．A perfect thatof dielectric dielectric andlow obtained high constant(曲，lowloss(t903 of coefficients dielectric—temperature(Ac／c)． andmicrosurfacewerestudied electron Bothstructural analyses usingscanning o