TILT3GTSICLT2GTCU复合材料的制备与性能研究.pdfVIP

jE壶窑亟鑫堂巫±堂鱼i金塞 生塞擅要 中文摘要 摘要：Ti3SiC2系三元层状陶瓷是近年来受到广泛重视的一种新型化合物材料，它 同时具有金属的导电、导热等性能和陶瓷的低密度、高熔点、高稳定性等性能。 与目前触头材料中常用的增强相碳化钨相比，其电阻率相当，热导率和熔点更高， 模量和热膨胀系数更接近于金属，比重更轻，同时具有良好的自润滑性和抗氧化 性。用它代替碳化钨和铜进行复合，将能够减轻触头重量、降低材料成本的同时， 提高材料的电接触性能，同时节省宝贵的战略资源钨，因而有望成为一种新型的 高性能触头材料。 的复合材料。测试密度、导电性、抗弯强度等物理、力学性能，并对材料进行XRD 分析、SEM微观分析、EDS微观区域分析。根据试验结果，对面3siC2与Cu的 体积比、烧结温度，保温时间、压力大小等组分与工艺进行了优化，以求得到高 导电性、高强度的Ti3SiC2．Cu复合材料。 试验结果表明，影响材料性能的因素主要有两个，印致密度和界面反应程度。 提高致密度有助于提高材料的导电性和抗弯强度，而界面反应则会在提高材料强 度的同时降低导电性。在相同的工艺条件下，铜的增加会提高材料的致密度及导 电性，当铜体积含量达到60％时，材料表现一定的塑性；Ti3siC2含量增加，材料 脆性增强：增加保温时间和增大烧结压力，也会提高材料的致密度。本实验范围 保温时间60min，电阻率达到最低值，为0．06p．Q*m。 关键词；Ti3SiC2；铜基复合材料；制备：性能 分类号：TB333 jE塞窑亟太堂亟±堂焦j金毫 △量S至基△￡I ABSTRACT has more asanew ABSTRACT：The been Ti3SiC2 layed emphasis ternarycompound andthermal issimilarto itselectric metal，and material，and conductibility compound itslow and stabilizationaresimilartoceramics． density,highmeltingpoint high antenna has withWCwhichis usedaselectrical material，Ti3SiC2 Compared usually similar thermal and elasticity resistance,beretconductibilityhighermeltingpoint。Its has andthermal aremore to it lower modulus metal，and dilatabilityadjacent specific self-lubricationandresistancetooxidationis with gravity,its bet￡