供输半导体级一般气体之配管工作程序40.docVIP

供输半导体级一般气体之配管工作程序40.doc

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供输半导体级一般气体之配管工作程序40

一般氣體配管工作程序 供輸半導體級一般氣體之配管工作程序 適用範圍: 本程序乃適用於半導體生產工廠中所安裝的供輸一般氣體用之配管工作。 氣體管路的種類: CDA, N2, O2, H2, He, Ar 工作範圍: 在這裡所定義的管線涵蓋範圍由各種不同氣體的起始點連接至各生產機台的USE。 分段點 a( 主管路(Main)為由氣體的起始流出點(Gas yard)至無塵潔淨室中的第一組分支閥 (Main Line)為止。 B次主管(Submain)乃指由無塵潔淨室中之第一組分支閥至第二組分支閥(Submain Line)止。 c) 第二條管線由第二組分支閥開始至point of use分支點。 壓縮乾空氣(CDA) 對壓縮乾空氣而言,其管路在氣體流出點處需配有一乾燥空氣出口之過濾器,整個管線一直完成至各生產機台設備的連接點為止。 氮氣(N2) 分為PN2及GN2 : PN2:其配管工作由Gas Yard的末端閥經過氮氣純化器(N2 Purifier)至機台P.O.U.。 GN2:其配管工作由Gas Yard的末端閥至機台P.O.U.。 4) 氧氣(O2) 分為PO2及GO2 : PO2:其配管工作由Gas Yard的末端閥經過氧氣純化器(O2 Purifier)至機台P.O.U.。 GO2:其配管工作由Gas Yard的末端閥至機台P.O.U.。 氫氣(H2) 分為PH2及GH2 : PH2:其配管工作由Gas Yard的末端閥經過氫氣純化器(H2 Purifier)至機台P.O.U.。 GH2:其配管工作由Gas Yard的末端閥至機台P.O.U.。 氦氣(He) 分為PHe及GHe : PHe:其配管工作由Gas Yard的末端閥經過氦氣純化器(He Purifier)至機台P.O.U.。 GHe:其配管工作由Gas Yard的末端閥至機台P.O.U.。 氬氣(Ar) 分為PAr及GAr : PAr:其配管工作由Gas Yard的末端閥經過氬氣純化器(Ar Purifier)至機台P.O.U.。 GAr:其配管工作由Gas Yard的末端閥至機台P.O.U.。 工作環境 在工作現場需配有一臨時性潔淨棚,且所有配管工作的操作基本上必須在此區域內完成,以避免一些不當的污染。此潔淨棚必須維持且控制在以下的環境條件下: 臨時性潔淨棚 a) 微塵數目(靜態數,粒子大小 0.3um者) 位置 潔淨度 庫房 10000 切割工作區域 1000 焊接工作區域 1000 b) 條件 : 於焊接工作區域內,其溫度為 21(C , 相對濕度則為65%。 c) 氣流 : 每小時循環60次。 d) 環境 : 此潔淨棚需足以阻絕微粒、油污及其他外來物質。 如何控制潔淨棚內的氣壓 藉由棚內空氣的循環與過濾可以控制微粒多寡。 在此區域工作的工作者需穿著無塵衣鞋。 5.工作完成之標準 焊接工作 兩條管線的尾端焊接主要利用自動焊接機來完成。 彎頭部份大於及等於15A的管子需使用90( 的彎頭,小於及等於1/2” 的管子則需使用彎管器。 自動焊接機的狀況可藉由製作測試用樣品片來檢查 ; 至少每天做兩次,於早晨與下午焊接工作開始之前。 氣體管材的處理 管線與零件的清潔:所有的管子與其零件需於製造後以管帽蓋住開口處、封裝後,始可運送至現場; 任何管子與零件在彎管、切割及焊接諸如此類工作之進行前, 需確定其清潔度可維持的情形下始可拆封。 氬氣Purge :在裝配好個別的預作管線且擺放好後, 每一單位均需以氬氣Purge乾潔。 3( 純度提升的方法:用純氬氣來噴洗管線內部。(氬氣純度:99.99999) 4( 配管完成後的檢查: 外觀目檢:送樣本附表 焊接點目視檢查:1.上午及下午工作焊接前 2.若遇停電或不可抗拒之因素後 必須送樣本附表 鎖入配件目檢。 壓力/偵漏檢驗。 微塵測試。 純度測試。 5( 預先允諾管線行經路線 :  為了避免由焊接工作的過程中因不斷修正而導致的損失,管線所經的路線必須先經由客 戶召集各承包商進行套圖,一但經業主確認無誤施工後,路線若須變更,則一切因變更 而增加的費用需由客戶自付。 6( 強制性穿戴手套 : 在進行每一個操作時必須穿上乾淨無塵膠質手套,嚴禁使用裸手操作。 6.工作進行之步驟 : 為了維持完成後的潔淨在所訂定之水準內,氣體供輸的管線工作必須儘可能地小心去完 成。 序號 項目 步驟 備 註 製造地點 1 材料檢查 ○ ( 逐項檢查

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