传感器原理及工程应用(第三版)第7章磁电式传感器.pptVIP

磁电传感器的结构见图7-8所示。传感器的检测元件部分由永久磁铁、感应线圈和铁芯组成。永久磁铁产生的磁力线与齿形圆盘交链。当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化，于是磁通量也发生变化，在线圈中感应出交流电压， 其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。 N型硅的线性度最好，其霍尔系数、 温度性能同N型锗。 锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。 砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 霍尔元件的壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装 的。 在电路中， 霍尔元件一般可用两种符号表示， 如 图所示。 此时可根据A、 B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电桥达到平衡， 从而使不等位电势为零。几种补偿线路如图所示。 图（a）是磁场强度相同的两块永久磁铁，同极性相对地放置， 霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0， 因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零，此时位移Δx=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移，霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变，这时UH不为零，其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 图（b）是一种结构简单的霍尔位移传感器，是由一块永久磁铁组成磁路的传感器，在霍尔元件处于初始位置Δx=0时， UH等于零。当Δx≠0时，霍尔电势UH不等于零。 单端输出传感器的电路结构框图 2 3 输出 + － 稳压 VCC 1 霍耳元件 放大 地 H 4、霍尔线性集成传感器 霍尔集成传感器主要分为开关式和线性式两种： 表7-1 常用国产霍尔元件的技术参数 2. 霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的， 如图7-10（a）所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四根引线： 1、 1′两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）； 2、 2′引线为霍尔输出引线， 称霍尔电极。 壳体 图7-10（a） 霍尔片 激励电极 壳体 霍尔电极 1-1’激励电极 2-2 ’霍尔电极 3. 霍尔元件基本特性 (1) 额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。 (2） 输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时所确定的。 (3） 不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零， 则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势，如图7-11所示。 图7-11 不等位电势示意图 （7-19） 式中： U0——不等位电势；  r0——不等位电阻；  I——激励电流。 由式（7-19）可以看出，不等位电势就是激励电流流经不等位电阻r0所产生的电压， 如图所示。 产生不等位电势现象的原因有：  ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；  ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；  ③ 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。不等位电势也可用不等位电阻表示， 即 (4） 寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。 其产生的原因有：  ① 激励电极与霍尔电极接触不良， 形成非欧姆接触， 造成整流效果；  ② 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同， 散热状态不同而形成极间温差电势。  寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。 (5） 霍尔电势温度系数 霍尔电势温度系数:在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率，它同时也是霍尔系数的温度系数。  4. 霍尔元件不等位电势补偿 不等位