第5讲材料的性能检测6电学性能及测试方法.pptVIP

1 电介质的电学性能及测试方法 2 半导体的电学性能及测试方法 3 金属材料的电学性能及测试方法 5.6 电学性能及测试方法 若对一块 n 型样品来说 式中，Δp 为光激发的非平衡载流子浓度，q 是电子电荷量；μp， μn 分别为空穴和电子的迁移率，b = μn / μp ，如此可得到 一般把 Δp/n0 称为注入比，由上式知，在小注入条件下 Δp/n0＜1％， ΔV/V与注入比成正比，样品上的电压变化反映非平衡载流子的变化。 在小注入条件下，示波器上的电压衰减曲线所得的就是样品中的少子寿命。在大注入的情况下， Δp/n0＞1％， ΔV/V与注入比不成正比。所以，非平衡载流子有效寿命比小得多，要进行修正。 5.6 电学性能及测试方法 （2）高频光电导衰退法 将被测半导体材料放在金属电极(镀银的铜板)上。样品在无光照的情况下，在高频电磁场的作用下(高频电磁场频率—般选30MHz左右)，由高频源经过样品，取讯号电阻流过一个频率和高频源相同的高频电流，当停止样品的光照后， 样品中的非平衡载流子就按指数规律衰减，高频电流幅值逐渐减小，最后恢复到光照前的幅值。把样品中光电导衰减信号经过宽频带放大器放大后，在荧光屏上显示出一条按指数衰减的曲线，这样便可通过这条衰减曲线测得样品的少子寿命。 5.6 电学性能及测试方法 3 金属材料的电学性能及测试方法 3.1 金属导电物理本质 按金属导电的经典电子论，金属中的原子按一定的规律排列，形成晶格。原子中最外层电子和原子核的联系较弱，它们可以脱离原子在正离了构成的晶格中自由运动，称为自由电子，这些自由电子已不再属于某个原子，而是为整个金属所共有。 在金属中有电场时，每个自由电子都将受到电场力的作用，使电子在杂乱的热运动之上叠加一个与场强相反(电子带负电)相对于晶格作加速的定向运动。 每个电子在不同时刻，或同一时刻各个电子的定向运动速度一般是不同的。但是对大量电子来说，可以认为电子是以平均定向速度沿着 E 的反方向漂移。大量自由电子的这种漂移运动，就形成金属中的电流。 5.6 电学性能及测试方法 3.2 金属的电阻 欧姆定律是在1825年德国物理学家欧姆(Ohm)研究导电问题，通过磁针偏放效应测定导线中的电流，并采用验电器测定电势差，提出电流强度和电阻两个术语，定义以他名字命名的欧姆定律。 这一实验性定律现已广泛使用，它的内容为在恒温下，通过一段导体的电流强度 I 与该段导体两端的电位差(电压) U 成正比，它的表示式为 I = U/R或 U = I·R。式中比例系数 R 称为该段导体的电阻，与导体的材料及几何形状有关。 R 的倒数 G (G = I/R)称为电导，在国际单位制中，电阻的单位是欧姆(Ω)。1 Ω = 1V/1A；电导的单位是西门子(S)。 5.6 电学性能及测试方法 在通常情况下，欧姆定律对金属导体十分准确，只有在电流密度达到1010 A·m-2 数量级时才能观察到与欧姆定律有 1% 的偏差。但对气体、半导体等电流 I 与电压 U 之间并非呈线性关系，欧姆定律不再适用。 对于粗细均匀的导体，当导电材料与温度一定时，导体的电阻 R 与它的长度 L 成正比，与它的横截面积 S 成反比，即 R = ρ ·L/S ，式中比例系数 ρ 称电阻率，与材料性质有关。电阻率的单位为欧·米(Ω·m)，电阻率的倒数σ＝1/ρ 称电导率，在国际单位制中。电导率的单位为西门子／米(S／m)。 温度改变时，导体的电阻率也要改变。在通常情况下，几乎所有金属导体的电阻率 ρ 与温度之间近似地有以下关系 ρ= ρ0（1+at） 5.6 电学性能及测试方法 3.3 电桥法测量金属导体电阻 电桥法测量电阻可分为单电桥和双电桥，由于单电桥引线电阻及接触电阻无法消除，一般适用于高电阻测量，在1 Ω以下电阻测量应采用双电桥。 金属材料电阻测量属低电阻测量。一般都采用双电桥，双电桥广泛用于测量金属材料室温电阻。其测量范围在10-6~100 Ω之间。测量精度为0.02%。 5.6 电学性能及测试方法 3.4 金属电阻直接读数测量法 早期的伏安法、电桥法现在大部分可由数字万用表代替。 高档数字万用表，此类表内部一般带有8-16位微处理器，具有数据处理、故障自检等多种功能，可通过RS-232或IEEE 488接口与计算机相接。 典型产品：美国Fluke 8520A、HP 3458A Solartron 7081、天津 HG1971智能自动校准数字万能表：10nV