离子液体电沉积法构筑硅锗有序大孔结构-材料学专业论文.docx

具有更好的润湿性，因而产物优先生长在微球表面；研究了沉积电位对制备过程的影响，发现在沉积电位小、沉积电流较大的情况下PS模板被破坏无法得到周期性结构，主沉积电位-1.9V为最佳实验电位；研究了模板的排列方式、模板与基底间的结合力和微球尺寸对产物的影响，发现直径400nm以下的微球组装的模板不适用于硅锗的填充，而通过填充与基底间结合力弱的模板得到的产物与硅锗薄膜的性质相似。率先尝试了在离子液体中制备Si/Ge和Al/Ge叠层有序大孔产物，研究发现第一叠层与基底的结合力对得到的产物质量起决定性作用。其中由于Si4+和Ge4+的电化学行为接近，Si/Ge叠层的制备与硅锗薄膜类似。而在对Al/Ge叠层的研究中，由于Al的生长速度较快，可通过调节Ge层的厚度、Al的沉积电位、Al的沉积时间等因素获得不同形貌的Al/Ge叠层有序大孔结构。产物中的Al按照“岛状”模式生长，获得的厚度较大的Al/Ge产物可以做为陷光材料。探索了在高温情况下进行离子液体电沉积制备硅锗和有序大孔硅锗的情况。在薄膜的制备过程中，温度促使生成较大、抗氧化性能较好的产物颗粒，Raman和XPS测试验证了这一结论。高温情况下制备的有序大孔结构具有“渔网”状的形貌，通过对机理的研究发现这一升温过程伴随着PS模板的软化和四氯化硅、四氯化锗的挥发过程；分析研究过程发现，产物的厚度不随电沉积时间的延长发生改变；同时对得到的有序大孔产物进行光谱表征，研究结果表明产物可以作为光栅和微棱镜使用，产生较纯的单色光。关键词：离子液体；硅锗；有序大孔；光子带隙；模板辅助电沉积AbstractSixGe1-xisaveryimportantsemiconductorwithhighrefractiveindexwhichcouldbeadjustedbyvaryingthecontentofGe.OrderedmacroporousSixGe1-xcouldbeobtainedbyfillingthevoidsoftheopalinephotoniccrystals,whichmakesitpossibletoachievecompletebandgap.However,therearetwoobstaclesonthisresearch.First,specialequipmentsarenecessarytogetSixGe1-xandtheenergyconsumptioninnormalmethodsisextremelyhigh.LowfillingratioistheotherproblemfacedwhenanorderedmacroporousSixGe1-xisprepared.Inthispaper,ionicliquidsareusedassolventtoprepareSixGe1-xfilmandorderedmacroporousSixGe1-xthroughelectricaldeposition,theobtainedmaterialwellretainstheorderedmacroporousstructureofthetemplates.Thefabricationconditionsandtherelationshipbetweentheinfiltrationdepth(filmthickness)andthemorphologyaresystematicallystudied.Thepreparationofthelaminatedsemiconductorlayeratroomtemperatureisbrieflydiscussedaswellasthefabricationoftwo-dimensionalorderedmacroporousSixGe1-xatelevatedtemperature.Themaincontentsofthispaperareasfollows:Ionicliquid[EMIm]Tf2NandPy1,4Tf2Nareusedassolventwhilesiliconchlorideandgermaniumchlorideareusedassolute.CyclicvoltammetryisusedtoevaluatetheelectrochemicalbehaviorsofionicliquidsonITO,copperandplatinumsputter-coatedsiliconsubstrates.ThereductionpotentialsandthecontrolstepoftheelectrodereactionarestudiedonITOsubstrate.Theresultspresentth