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官方说明书ST M29F016B 数据手册.pdf

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官方说明书ST M29F016B 数据手册

ST M29F016B handbook /file/2628134 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2628134 查询M29F016B55M1T供应商 M29F016B 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory SINGLE 5V± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs by Byte typical 44 32 UNIFORM 64 Kbyte MEMORY BLOCKS PROGRAM/ERASE CONTROLLER 1 – Embedded Byte Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm TSOP40 (N) SO44 (M) 10 x 20mm – Status Register Polling and Toggle Bits – Ready/Busy Output Pin ERASE SUSPEND and RESUME MODES – Read and Program another Block during Erase Suspend Figure 1. Logic Diagram TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND VCC – Faster Production/Batch Programming LOW POWER CONSUMPTION 21 8 – Standby and Automatic Standby 100,000 PROGRAM/E