ARM嵌入式系统原理及应用开发（第二版）第9章基于ARM开发工具的基础实验.ppt

图9.3 PWM控制电路的工程文件总体组成截图 图9.4 PWM控制电路的工程文件中的config.h部分截图 图9.5 PWM控制电路的工程文件中的main.c部分截图 图9.6 PWM控制电路的工程文件中的2410addr.h部分截图 图9.7 PWM控制电路的工程文件中的2410lib.h部分截图 图9.8 PWM控制电路的工程文件中的2410slib.h部分截图 图9.9 PWM控制电路的工程文件中的def.h部分截图 图9.10 PWM控制电路的工程文件中的mmu.h部分截图 图9.11 PWM控制电路的工程文件中的option.h部分截图 图9.12 PWM控制电路的工程文件中的TARGET.C部分截图 图9.13 PWM控制电路的工程文件中的2410INIT.S部分截图 图9.14 PWM控制电路的工程文件中的2410LIB.C部分截图 图9.15 PWM控制电路的工程文件中的2410SLIB.S部分截图 图9.16 PWM控制电路的工程文件中的MMU.C部分截图 图9.17 PWM控制电路的工程文件中的2410addr.s部分截图 图9.18 PWM控制电路的工程文件中的Uart_driver.c部分截图 图9.19 PWM控制电路的工程文件中的Uart_driver.h部分截图 　　五、实验报告　　1．阐述实验程序实现的设计思想，并画出程序的实现框图。　　2．记录程序单步运行时有关寄存器与存储器的值，并分析结果是否正确。　　3．记录直流电机的转速或用示波器观察PWM组件的输出波形。 　　四、实验步骤　　1．创建新的工程，工程名为armcasm。　　2． 按照参考程序编写源代码文件，并分别保存为 randtest.c、init. s、random. s和ldscript，然后把它们加入工程中。　　3．按照编译→汇编器设置→链接器设置→调试器设置的顺序来设置新工程，并编译、链接工程。　　4．下载调试文件，并打开Memrory/Register/Watch/Variable/Call Stack窗口，单步执行程序。通过以上窗口，跟踪程序运行，观察分析并记录运行结果，通过实验学会使用ADS1.2/Embest IDE来进行应用程序的开发与调试。 　　五、实验报告　　记录程序单步运行时有关寄存器、存储器和变量的值，并分析结果是否正确。 9.4 C语言程序组件应用实验——PWM直流电机控制　　一、实验目的　　1．初步学会使用ADS / Embest IDE for ARM 开发环境及ARM软件模拟器。　　2．通过实验掌握使用LDM/STM、B、BL等指令完成较为复杂的存储区访问和分支程序的方法，学习使用条件码，加强对CPSR的认识。 二、实验设备　　1．硬件：PC机，某ARM实验开发系统。　　2．软件：ADS 1.2 / Embest IDE 2004集成开发环境。 　　三、实验内容　　利用S3C2410X/S3C2440X芯片的定时器0、1组成的双极性PWM发生器，设计一个实现嵌入式开发板/实验开发系统中的直流电动机驱动。　　1．直流电动机的PWM电路原理。晶体管的导通时间也被称为导通角α，若改变调制晶体管的开关时间，即改变导通角α的大小，则可通过改变加在负载上的平均电压的大小来实现对电动机的变速控制，这称为脉宽调制(PWM)变速控制，其原理如图9.1所示。在PWM变速控制中，系统采用直流电压，且放大器的频率是固定的，变速控制通过调节脉宽来实现。 图9.1 脉宽调制(PWM)变速原理 　　构成PWM的功率转换电路可采用“H”桥式驱动或“T”式驱动。一个直流电动机的PWM控制电路的等效电路如图9.2所示。在这个等效电路中，传送到负载(电动机)上的功率值取决于开关频率、导通角及负载电感的大小。开关频率的大小主要与所用功率器件的种类有关，对于双极结型晶体管(GTR)，频率一般为1～5 kHz；对于绝缘栅双极晶体管(IGBT)，频率一般为5～12 kHz；对于场效应晶体管(MOSFET)，频率则可高达20 kHz。另外，开关频率还和电动机电感的大小有关，电感小的电动机的频率应该取得高些。 图9.2 PWM控制电路的等效电路 　　由图9.2可知，当接通电源时，电动机两端加上电压Up，电动机储能，电流增加；当电源中断时，电枢电感所存储的能量通过续流二极管VD继续流动，而储存的能量呈下降的趋势。除功率值以外，电枢电流的脉动量与电动机的转速无关，仅与开关周期、正向导通时间及电动机的电磁时间常数有关。 　　2．PWM直流电动机驱动程序。以S3C2410X芯片为例，PWM发生器用到的寄存器主要有以下几个：　　(1) ?TCFG0。