07第七章半导体存储器.ppt

* * * 第七章 半导体存储器 - 36 7.1 概述? 7.2 只读存储器ROM？ 7.2.1掩模只读存储器 7.2.2可编程只读存储器PROM？ 7.2.3可擦除的可编程只读存储器EPROM？8-18 7.3 随机存储器（RAM）？ 7.4 存储器容量的扩展？ 1 总目录 7.5 用存储器实现组合逻辑函数？ 作业题号? 作业题？ 7.1 概述 分类： 1掩模ROM 2可编程ROM (PROM--Programmable ROM) 3可擦除可编程ROM (EPROM--Erasable PROM) 随机存储器RAM (Random Access Memory) 静态存储器SRAM (Static RAM) 主要用于高速缓存和服务器内存 动态存储器DRAM (Dynamic RAM) 略 按功能特点 二电擦除ROM EEPROM 或E2PROM 只读存储器ROM (Read- Only Memory) Flash Memory (如U盘) 半导体存储器是固态存储器，具有存储密度高，体积小，容量大，读写速度快，功耗低等优点! 第七章 半导体存储器 一紫外线擦除的ROM UVEPROM 三快闪存储器 2 1. ROM的构成 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量：用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 7.2.1 掩模只读存储器 7.2 只读存储器ROM 回首页 3 2. 电路组成 P358 4 与阵列函数 或阵列函数 3.工作原理分析 按组合电路进行分析。 存储容量 4x4（＝字x位） 5 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 d0 d1 d2 d3 A0 A1 数 据 地址 P358 与阵列 或阵列 存储矩阵 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 4. 数据与存储矩阵对应关系 存储器的容量: 字数 x 位数 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” ROM点阵图 交叉点接入存储件有节点 P359 回首页 6 编程时VCC和字线电压提高 写入时，要使用编程器 出厂时熔丝未断全部存储单元存同一种值1（或0）. 用户可烧断熔丝（改写存储单元）－存0 回首页 只可改写一次 7.2.2 可编程只读存储器PROM 7 7.2.3 可擦除可编程只读存储器 一、EPROM(UVEPROM-Ultra Violet) SIMOS: Stacked-gate Injection MOS; 叠栅注入MOS 浮置栅极为氮化物是可 以存储电荷的电荷势阱 紫外线擦除的ROM 8 5V 5V GND 导通状态:浮栅上没有电荷时, 加控制栅电压VT1(5V)时,导通,存”0” 截止状态:浮栅上带有负电荷时,使得MOS管的开启电压变高, 加控制栅电压VT1时,截止,存”1” 传输特性 2. 存储原理 5V 5V GND i D V T1 V T2 v GS 浮栅无电子 浮栅有电子 O 存储电荷前特性 存储电荷后特性 9 (1)擦除 可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15~20分钟； 3. 编程原理：先擦除，再写入 25V 25V GND (2)写入 1.源漏极加高压(+20V~+25V), 发生雪崩击穿 2.在控制栅极Gc上加高压(+25V,50ms) 吸引高速电子穿过SiO2到达浮栅， 这个过程称为Hot carrier injection 书上称为雪崩注入 10 二、EEPROM/E2PROM－电擦除 FlotoxMOS: Floating gate Tunnel Oxide MOS;浮栅隧道氧化层MOS 存储原理： Gf存电荷前,正常控制栅极电压3V下,T1导通, 存0 Gf存电荷后,正常控制栅极电压3V下,T1截止, 存1 T2(选通管）为了提高擦、写的可靠性 T1为实现数据存储的存储管 11 电场强度107v/cm很高时击穿 EEPROM的编程原理：也是先擦除，再编程。 (1)擦除就是将浮栅的电荷放掉 ，相当于写“0” (2)编程就是将需要写“1”的单元的栅极充电 写1 (写入/充电): Wi和Gc加20V、10ms的正脉冲 Bj接0，电子通过隧道区从漏极进入浮置栅极Gf 写0 (擦除/放电):Gc接0，Wi和Bj加20V 10ms的正脉冲 电子通过隧道区从浮置栅极Gf向漏极释放 区别:紫外擦除ROM擦除操作复杂，速度慢 电擦除ROM擦除操作较方便，速度仍慢 12 三、快闪存储器Flash Memory 按结构又分为NO