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我的ds18b20总结 ， 初始化，如图一： 数据线拉低至少480us后再将其拉高，大约等待15~60us，就会收到60~240us的低电平的存在脉冲，其后数据线会恢复被拉高状态，在数据线被拉高到初始化结束经过的时间至少为480us，以下是我根据对初始化时序写的子程序，用的是51： #include reg52.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int void delay1(uint z)//延时子程序 { uint x,y; for(x=10;x0;x--) /*z=1时，延时子程序用时约为61.5US*/ { for(y=z;y0;y--); } } void reset() { uint i; DQ=1; i++; DQ=0; delay1(120);//软件仿真测试为495us DQ=1; for(i=65;i0;i--) { //i这个数值可以改，for语句只是作为收到存在脉冲时的延时只要满足60us就可以 if(!DQ)break; //当收到存在脉冲时跳出循环 } delay1(120); //大于480us } 其实这个子程序并没考虑到干扰，因为假设在初始化过程有低电平脉冲的干扰，那么即使ds18b20没有发送低电平，也会认为初始化成功。 写时隙 （1）写1时隙，如上右图：主控器将数据线拉低至少1us，并在拉低后的15us内再将其拉高，整个过程大于60us，子程序如下 uchar bit1_write18b20() {uint i=0; DQ=1; i++; DQ=0; for(i=0;i1;i++); //for(i=0;i1;i++)约为12.94us DQ=1; for(i=0;i4;i++); //约为51us，整个过程大于60us return(DQ); } （2）写0时隙，如上左图，主控器将数据线拉低至少60us后将其拉高，子程序如下： uchar bit0_write18b20() {uint i=0; DQ=1; i++; DQ=0; for(i=0;i5;i++);//大于60us return(DQ); } 读时隙 阴影部分表示数据线的在这个时间段状态不确定，整个时序图的意思是主控制器将数据线拉高至少1us后，再将其拉低，在拉低后15us内的数据有效，整个时隙时间要大于60us. 虽然pdf中，用两个时序图分别表示读0时隙和读1时隙，实际上读一位数的子程序只要一个，数据线拉低后1us，将数据线拉高，在15us内储存数据，再延时，使其满足总时间大于60us，下面给个例子： uchar bit_read18b20(void) { uint i; uint k; DQ=1; k++; DQ=0; for(i=0;i1;i++); /*for(i=0;i1;i++)约为12.94us*/ DQ=1; /*60us*/ return(DQ); } 写、读一个字节数子程序： /*写一字节数*/ void byte_write18b20(uint w) { uint i=0; bit b; for(;i8;i++) { b=w0x01; if(b)bit1_write18b20(); else bit0_write18b20(); w=w1; } } /*读一字节*/ uchar byte_read18b20(void) { uchar i; uint k; uchar value=0; for(i=0;i8;i++) { if(bit_read18b20())value|=(0x01i); for(k=0;k6;k++); //延时使其满足读时隙时间 } return(value); } （1）unsigned int Readtemp() //温度转换 { unsigned char a=0; unsigned char b=0; unsigned int t=0; float tt=0; reset(); byte_write18b20(0xCC); byte_write18b20(0x44); reset(); byte_write18b20(0xCC); //skip rom指令 byte_write18b