光电子技术第三章.pdfVIP

第3 章 光辐射探测器 3.1 光辐射探测器的理论基础 光辐射探测器的物理效应主要是光热效应和光电效应。 3.1.1 光热效应 当光照射到理想的黑色吸收体上时，黑体将吸收所有波长的全部光能量，并转换为 热能，称为光热效应。热能增大导致吸收体的物理、机械性能变化，如温度、体积、电阻、 热电动势等。通过测量这些变化可确定光能量或光功率的大小，由光热效应制成的光探测器 统称为光热探测器。 光热探测器对光辐射的响应有两个过程。首先，器件吸收光辐射能量而使自身温度 发生变化，然后器件再依赖某种温度敏感特性把辐射能引起的温度变化转换为相应的电信号， 从而达到光辐射探测的目的。对不同的光热探测器，光辐射能量使物体温度发生变化的规律 大致相同，但温度与电信号间却有着各不相同的转换原理。常见的光热探测器有测辐射热电 偶、测辐射热敏电阻、高莱管、热释电探测器等。 光热探测器是利用热敏材料吸收入射辐射的总功率产生温升来工作的，而不是利用 某一部分光子的能量，所以各种波长的辐射对于光热探测器的响应都有贡献。因此，光热探 测器的最大特点是：在很宽的波长范围（从紫外到40μ m 以上）内，其响应灵敏度与光波波 长无关，属对光波长无选择性探测器。但受热时间常数的制约，响虚速度较慢。 下面讨论光热器件的共同原理，即光辐射引起温升的过程。 设Φ为人射于探测器的辐射通量，若探测器光敏面对光辐射的吸收系数为Φ，则探 测器实际吸收的辐射通量为ηΦ。这些被吸收的光辐射能量，将有一部分转化为探测器的内 能，表现为探测器自身温度的升高，另一部分则通过探测器与外界环境的热交换而使能量流 失。探测器接收辐射后所吸收的功率，应等于单位时间内系统内能的增量和与外界热交换时 所损耗的功率之和。如果把器件的温度看作是均匀的，则探测器所遵从的热平衡方程为 式中，C 是探测器的热容量，定义为探测器单位温度变化所需要的热量；G 是器件与环境间 t t 的热导，是单位时间内器件散失的总热量与下降的温度之比。热导的倒数称为热阻R ，它跟 t 器件周围的环境、器件的安装、封装、电极引线等诸多因素有关。 设入射光的辐射通量具有如下形式 由于Φ包含有与时间无关和有关的两部分，所以，式(3.1)的解也包含与时间无关的平 均温升Δ To 和与时间有关的温度变化△T ，将它们代入式(3.1)，得到 w 解以上两式，得到器件的平均温升和器件随频率ω的交变温升为 式中，τ =C /G =C R 。是器件的热时间常数；υ =-arctan(ωτ )是温升与辐照通量之间的 t t t t t t 相角，它说明器件温升滞后调制辐射功率瞬变的程度。 从式(3.6)可见，交变温升的幅值随着调制频率的升高而减小。当ωτ 1 为低频时， t ︳△T ︳≈ηΦ ／G ，即与调制频率无关，并且温升几乎与调制辐射功率同步；甜ωτ 》1 w 0 t t 时，︳△T ︳≈ηΦ ／(ωC )，即交变温升幅值将与ω和C 成反比，随着ω的增大急剧下降。 w 0 t t 因此，光热探测器常用于低频调制辐射场合。同样地，设计者总是尽力降低器件的热时间常 数，以是减少器件的热容量。 3.1.2 光电效应 光电效应是物质在光的作用下释放出电子的物理现象。由于物质的结构和性能不同，以 及光和物质的作用条件不同，光电效应分为光电导效应、光伏效应、光电发射效应等。 现代的许多光电器件都是由半导体材料制作的，首先掌握一些半导