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- 2018-05-10 发布于天津
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td产业联盟2012年5月报-td联盟华北数据中心平台
TD产业联盟月报
2012年5 月
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产 业 动 态
文章来源:TD产业联盟
一、TD-SCDMA市场状况
2012年4月,TD-SCDMA用户新增230.7万户;截至2012年4月底,在网TD-SCDMA用户总数达到6187万户。
TD-SCDMA终端产业链厂家已经达到了259家,其中投入手机研发的有150家,可商用的芯片供应商增加
到了9家。TD-SCDMA终端产品已经超过900款,其中371款手机、531款终端,形成了高中低端均衡发展的格
局,基本实现了与欧美制式终端产品 “同时、同质、同价”上市。
TD-SCDMA芯片总体质量已与WCDMA芯片基本相当,制程工艺普遍采用40纳米,待机功耗降低到2.5mA,
通话平均功耗降低到70mA;已经有部分厂商推出两芯片的套片方案,PCB布板面积也缩小到了与WCDMA相当
的水平。
目前全国TD-SCDMA覆盖区域内平均掉话率降低至0.31%,无线接通率提升至99.4%,切换成功率提升至
98.2%,各项核心指标已达到甚至超过2G和其他3G通信系统水平。
中国移动提出,今年要争取实现7000万到8000万的TD-SCDMA终端销量,预计2013年TD-SCDMA 基站将达
40万。
二、TD-LTE产业发展现状
1、终端发展
目前,TD-LTE终端总数达到53款,有CPE、多模MiFi、数据卡、多模智能手机等多形式终端。被列为中
国移动重大创新项目的TD-LTE多模手机获得突破,中国移动研究院、广东移动和创毅联合推出的TD-LTE多
模智能手机成功入选广东移动创新项目,并已获得广东移动的协议采购,该款手机可支持GSM、TD-SCDMA、
TD-LTE等制式。
2、芯片发展
芯片呈现高集成度、高主频、多制式和高工艺的趋势,并且由单芯片组、双芯片组演进到多芯片组。
部分领先企业40nm工艺基带芯片采用超低功耗设计,设计实现最高150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,
支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换,支持CAT4速率等级,支持先进的双流波束赋形TM8传输技术。
预计28~32nm工艺的TD-LTE芯片将在 2013年后推出。
3、测试仪表发展
TD-LTE测试仪表发展已与FDD LTE基本同步,包括综测仪、协议及RF一致性测试等环节。
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产 业 动 态
4、TD-LTE规模实验
一阶段规模试验结果:7家系统设备厂家完成建网,3家正在建网,其中7家系统和3家芯片基本完成第
一阶段测试内容;在6个城市的770个站点已全部建成并开通。测试网络KPI 良好,接入和切换成功率均95%,
掉线率4%。
二阶段规模试验:围绕R9和多模实现 “4+3”进行,4家系统设备和3家芯片多模终端参与,其中至少2
款单芯片、1款双待手机、1款支持R9特性的终端。中国移动启动现网改造,升级TD-SCDMA的MSC和SGSN来支
持3G/LTE的互操作。
中国移动宣布,广州、深圳、南京、北京将成为继杭州之后开启TD-LTE高速体验的城市。至此,全国
已经有五个城市启动了TD-LTE体验网。
TD-LTE产业发展将进入高速期,2012年,中国移动将在9个试点城市建设2万个TD-LTE基站,覆盖2亿用
户。预计2013年国内TD-LTE基站数将达20万个。
5、TD-LTE全球市场
截至2012年4月,TD-LTE的基础设施供应商达10家,TD-LTE终端和芯片厂商达20家,TD-LTE的测试设备
供应商达11家。
截至2012年5月,全球共有37个TD-LTE试验网,8个已启动的商用TD-LTE网络,超过15家运营商有TD-
LTE商业部署计划。
2012年GTI峰会运营商发布GTI行动宣言:到2014年使全球TD-LTE基站达到50万个,终端超过100款,覆
盖人口超过20亿人的目标。
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